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Consequently, as the oxide layer is weakened it may occur an electron drain from the floating gate.
In der Folge kann, wenn also die Oxidschicht geschwächt wird, auch eine Elektronenaufnahme aus dem Floating-Gate auftreten.
The charge stored on the floating gate of such a transistor charge can be modified by a suitable programming.
A Die auf dem Floating-Gate eines derartigen Transistors gespeicherte Ladung kann durch eine geeignete Programmierung geändert werden.
Locking device composed of a never programmable floating gate cell.
Verriegelungsanordnung mit einer nie programmierbaren Speicherzelle mit schwebendem Gate.
Semi-conductor floating gate memory cell with write and erase electrodes.
Halbleiter-Speicherzelle mit schwebendem Gate mit Schreib- und Lösch-Elektroden.
Process for manufacturing a dual floating gate oxide flash memory cell
Verfahren zur Herstellung einer Speicherzelle des Flash-Typs mit zwei Dicken des Oxids des schwebenden Gate
Semiconductor memory according to one of the above claims, characterised in that each of the normally used memory cells comprises an electrically programmable transistor with a floating gate.
Halbleiterspeicher nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß jede der üblicherweise benutzten Speicherzellen einen elektrisch programmierbaren Transistor mit einem schwebenden Gate enthält.
Nanotube memory cell with floating gate based on passivated nanoparticles and manufacturing process thereof
Auf passivierten Nanopartikeln basierende Kohlenstoffnanoröhrenspeicherzelle mit schwebendem gate und deren Herstellungsverfahren
Voltage generating circuit for programming or erasing a floating gate memory
Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer Spannung zum Programmieren oder Löschen von Halbleiter-Speicherzellen mit schwebendem Gate
Additionally, a floating gate also has an approximate number of writes it can tolerate before becoming unreliable.
Außerdem besitzt ein Floating-Gate auch eine gewisse Anzahl von tolerierbaren Schreibvorgängen, bevor sie unverlässlich werden.
The semiconductor memory of claim 9, wherein the floating gate made of metal or highly doped poly-silicon.
A Halbleiterspeicher nach Anspruch 9, wobei das Floating-Gate aus Metall oder hochdotiertem Poly-Silizium besteht.
An electrically programmable memory as claimed in claim 1 or 2 wherein the floating gate comprises a polysilicon material.
Elektrisch programmierbarer Speicher nach Anspruch 1 oder 2, bei dem das Floating-Gate ein Polysiliziummaterial aufweist.
According to the inventive method for the production of a memory cell, a first gate insulating layer is formed on an auxiliary substrate and a floating gate is formed on the first gate insulating layer.
Bei dem Verfahren zum Herstellen einer Speicherzelle wird auf einem Hilfs-Substrat eine erste Gate-isolierende Schicht ausgebildet und ein Floating-Gate auf der ersten Gate-isolierenden Schicht ausgebildet.
Method of manufacturing an integrated semiconductor device comprising a floating gate field-effect transistor and a logic-field effect transistor, and corresponding device
Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiteranordnung mit einem Feldeffekttransistor mit schwebendem Gate und einem logischen Feldeffekttransistor, und entsprechende Anordnung
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