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Bildens einer Pufferschicht
A method according to claim 10 further comprising the step of forming a buffer layer of aluminium nitride between the substrate and the epitaxial layer.
Verfahren nach Anspruch 10 weiterhin mit der Stufe einer Erzeugung einer Pufferschicht von Aluminiumnitrid zwischen dem Substrat und der epitaxischen Schicht.
The method of any of claims 10 to 12, further comprising forming a buffer layer (103) between the insulating layer and the first electrode layer.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 bis 12, des Weiteren umfassend eine Pufferschicht (103) zwischen der Isolierschicht und der ersten Elektrodenschicht.
A method as defined in claim 15 further including the steps of forming a buffer layer on said substrate prior to the step of selectively depositing an epitaxial layer on said substrate, and etching said buffer layer to leave a sidewall spacer on said micromechanical device.
Ein Verfahren gemäß Anspruch 15, das ferner die Schritte des Bildens einer Pufferschicht auf dem Substrat vor dem Schritt des selektiven Aufbringens einer epitaktischen Schicht auf dem Substrat und des Ätzens der Pufferschicht aufweist, um ein Seitenwandabstandsstück auf der mikromechanischen Vorrichtung zu hinterlassen.
The method according to any one of claims 1 to 4 further comprising the steps of diffusing a material into the substrate to form the waveguide (12), and forming a buffer layer (13) on at least one major surface of the substrate.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, weiterhin mit den Schritten des Diffundierens eines Materials in das Substrat zur Ausbildung des Wellenleiters (12) und Ausbildens einer Pufferschicht (13) auf mindestens einer Hauptfläche des Substrats.
A method as claimed in claim 11, which comprises forming a buffer layer (2) on said substrate (1).
The method of any preceding claim, further comprising forming a buffer layer (154) between said gate insulating layer (6,27,106,153) and said metal gate electrode (8,25,108,155).
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, mit dem Ausbilden einer Pufferschicht (154) zwischen der Gate-Isolierschicht (6, 27,106, 153) und der Metall-Gate-Elektrode (8, 25,108, 155).
A method of manufacturing a semiconductor device as set forth in Claim 11, further comprising the step of forming a buffer layer in between said semi-insulating substrate and said first epitaxial layer.
Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbausteins nach Anspruch 11, weiter umfassend den Schritt des Bildens einer Pufferschicht zwischen dem halbisolierenden Substrat und der ersten Epitaxieschicht.
The method of Claim 1, wherein said step of forming a buffer layer comprises depositing a layer of amorphous silicon over the first conductive layer.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Ausbildens einer Pufferschicht das Abscheiden einer Schicht aus amorphem Silizium über der ersten leitenden Schicht aufweist.
A method as claimed in claim 1, wherein the step of forming a buffer layer (3) comprises forming a buffer layer (3) of dielectric material having a smaller refractive index than that of the optical waveguide (2).
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Schritt zum Bilden einer Pufferschicht (3) das Bilden einer Pufferschicht (3) aus dielektrischem Material umfaßt, das einen kleineren Brechungsindex als der optische Wellenleiter (2) hat.
to any one of claims forming a buffer layer for mechanical stress on the substrate having the lower oxidation barrier layer.
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