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impurity diffusion layer
Vertaling van "impurity diffusion layer" in Duits
Störstellendiffusionsschicht
Verunreinigungsdiffusionsschicht
An apparatus according to any of claims 1 to claim 6, characterised in that the unprocessed wafer (W) consists of a processed wafer doped in advance with impurity diffusion layers on both sides and without an impurity diffusion layer in its plane core portion.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet , daß das unbearbeitete Plättchen (W) aus einem bearbeiteten Plättchen besteht, das mit aufeinanderfolgenden Fremdatom-Diffusionsschichten an seinen beiden Seiten und ohne eine Fremdatom-Diffusionsschicht in seinem ebenen Kernbereich dotiert ist.
A field emission cathode according to any of claims 1 to 4, wherein said impurity diffusion layer (12) is a silicon layer containing a p-type impurity.
Feldemissionskatode nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der die Störstellendiffusionsschicht (12) eine Siliciumschicht ist, die eine p-Störstelle enthält.
A method according to any of claims 9 through 12, wherein the formation of said insulator layer (13) is effected by thermally oxidizing said impurity diffusion layer (12).
Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 12, bei dem die Bildung der Isolatorschicht (13) durch thermisches Oxydieren der Störstellendiffusionsschicht (12) bewirkt wird.
A method according to claim 10, including the further step of forming an n type impurity diffusion layer (108) present in an electrically floating state at a region between said locally formed impurity diffusion layers (102).
Verfahren gemäß Anspruch 10, weiterhin folgenden Schritt umfassend: Ausbilden einer in einem elektrisch schwebenden Zustand vorliegenden n-Typ Störstellen-Diffusionsschicht (108), in einem Bereich zwischen den lokal gebildeten Störstellen-Diffusionsschichten (102).
A method according to claim 1, wherein said etching mask (108) together with the second gate electrode etched thereby are used as an ion injection mask to form an impurity diffusion layer (110) in said semiconductor layer (104).
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Ätzmaske (108) zusammen mit der zweiten Gase-Elektrode, die damit geätzt wird, als eine Ioneninjektionsmaske verwendet wird, um eine Fremdstoffdiffusionsschicht (110) in der Halbleiterschicht (104) zu bilden.
A semiconductor device manufacturing method according to claim 7 wherein: a device separation diffusion layer (29, 55) is formed in said epitaxial layer (26, 43) below the oxide regions (27) by said ion injection for forming said impurity diffusion layer.
Halbleiterelement-Herstellungsverfahren nach Anspruch 7, wobei: eine Einrichtungstrenn-Diffusionsschicht (29, 55) in der Epitaxial-Schicht (26, 43) unter den Oxidbereichen (27) durch die Ioneninjektion gebildet wird, um die Verunreinigungsdiffusionsschicht zu bilden.
Method and apparatus for forming a very shallow impurity diffusion layer in a semiconductor substrate using a low frequency AC induced plasma.
Verfahren und Vorrichtung zur Bildung einer sehr flachen Diffusionsschicht in einem Halbleitersubstrat durch Verwendung eines mit Niederfrequenz-Wechselstrom induzierten Plasmas.
A field emission cathode according to any of claims 1 to 6, wherein said impurity diffusion layer (12) has electric resistivity of not more than 10 -3 Ω·cm.
Feldemissionskatode nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei der die Störstellendiffusionsschicht (12) einen spezifischen elektrischen Widerstand von nicht mehr als 10 -3 Ω·cm aufweist.
A device according to Claim 1, characterised in that said impurity diffusion layer (2, 16) and said polysilicon layer (8, 11, 20) constitute the junction of the diode (31, 32).
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verunreinigungsdiffusionsschicht (2, 16) und die Polysiliziumschicht (8, 11, 20) den Übergang der Diode (31, 32) bilden.
A device as claimed in claim 1, further comprising an impurity diffusion layer (33) in a vicinity of said optical waveguide layer to perform current limiting.
Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Fremdatomdiffusionsschicht (33) in der Nähe der optischen Wellenleiterschicht, um eine Strombegrenzung zu bewirken.
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Synoniemen voor impurity diffusion layer in het Engels
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