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interface between the first
Vertaling van "interface between the first" in Duits
Grenzfläche zwischen dem ersten
Schnittstelle zwischen dem ersten
Grenzfläche zwischen der ersten
Grenzfläche zwischen den ersten
A valve according any preceding claim, characterised in that the liquid flow channel has a cross section of an oval shape at at least one position in the interface between the first subhousing and the second subhousing.
Ein Ventil gemäß irgendeines vorausgegangenen Anspruchs, welches dadurch charakterisiert ist, dass die Röhre für den Durchfluss von Flüssigkeiten einen Querschnitt von ovaler Form hat, an wenigstens einer Position an der Grenzfläche zwischen dem ersten Teilgehäuse und dem zweiten Teilgehäuse.
A heater as claimed in claim 6, wherein an oxynitride or an oxide made of aluminium and components of the resistance control part exists at an interface between the first ceramic material and the resistance control part.
Heizvorrichtung nach Anspruch 6, worin ein Oxynitrid oder ein Oxid aus Aluminium und Komponenten des Widerstandsregelungsteils an einer Grenzfläche zwischen dem ersten Keramikmaterial und dem Widerstandsregelungsteil vorhanden sind.
Furthermore, a conversion device is arranged at an interface between the first and second sub-networks.
Ferner ist eine Umsetzeinrichtung an einer Schnittstelle zwischen dem ersten und zweiten Teilnetz angeordnet.
The identification module is located in a first device and the authorization data of the identification module is transferred via an interface between the first terminal and a second terminal.
Das Identifizierungsmodul befindet sich dabei in einem ersten Endgerät und die Berechtigungsdaten des Identifizierungsmoduls werden über eine Schnittstelle zwischen dem ersten Endgerät und einem zweiten Endgerät übermittelt.
A fullerene containing structure, comprising: an amorphous carbon base having a first amorphous carbon layer and a second amorphous carbon layer laminated together; and at least one fullerene embedded in the interface between the first amorphous carbon layer and the second amorphous carbon layer.
Fulleren enthaltende Struktur, mit: einer amorphen Kohlenstoffbasis mit einer ersten amorphen Kohlenstoffschicht und einer damit zusammenlaminierten zweiten amorphen Kohlenstoffschicht; und mindestens einem in der Grenzfläche zwischen der ersten amorphen Kohlenstoffschicht und der zweiten amorphen Kohlenstoffschicht eingebetteten Fulleren.
An electron emission element according to claim 1, wherein an interface between the first conductive electrode (102) and the first semiconductor layer (103) has irregularities.
Elektronen emittierendes Element nach Anspruch 1, wobei eine Grenzfläche zwischen der ersten leitfähigen Elektrode und der ersten Halbleiterschicht (103) Unregelmäßigkeiten hat.
The system of claim 20, wherein said charging identification is sent from said first network element to said second network element directly via an interface between the first and second network elements.
System nach Anspruch 20, wobei die Abrechnungskennung von dem ersten Netzelement zu dem zweiten Netzelement direkt über eine Schnittstelle zwischen dem ersten und dem zweiten Netzelement gesendet wird.
The busbar assembly according to one of claims 1 to 21 wherein: the housing includes first and second housing parts mated to one another; and the busbar assembly further includes a joinder sealant along an interface between the first and second housing parts.
Sammelschienenanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 21, wobei: das Gehäuse einen ersten und zweiten Gehäuseteil aufweist, die miteinander in Eingriff sind; und die Sammelschienenanordnung ferner ein Verbindungsdichtmittel entlang einer Grenzfläche zwischen dem ersten und dem zweiten Gehäuseteil aufweist.
The heterostructure of claim 1 wherein the strain of the third semiconductor material (26) is partially relieved substantially by a planar array of edge type dislocations (15) at the interface between the first semiconductor material and said intermediate layer of third semiconductor material.
Heterostruktur nach Anspruch 1, wobei die Verspannung des dritten Halbleitermaterials (26) im wesentlichen durch eine planare Anordnung von Versetzungen des Kantentyps (15) an der Grenzfläche zwischen dem ersten Halbleitermaterial und der Zwischenschicht aus dem dritten Halbleitermaterial teilweise abgebaut ist.
Injection device according to claim 3, characterised in that the fluid passages (6) in the first body are substantially parallel to the interface between the first and second bodies (2,3).
Injektionsvorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Fluiddurchlässe (6) im ersten Körper im Wesentlichen parallel zur Grenzfläche zwischen dem ersten und dem zweiten Körper (2, 3) sind.
A fullerene containing structure according to claim 1, comprising a plurality of fallerenes embedded in the interface between the first amorphous carbon layer and the second amorphous carbon layer as a discontinuous or continuous fullerene layer.
Fulleren enthaltende Struktur nach Anspruch 1, mit einer Vielzahl von in der Grenzfläche zwischen der ersten amorphen Kohlenstoffschicht und der zweiten amorphen Kohlenstoffschicht eingebetteten Fulleren als eine diskontinuierliche oder kontinuierliche Fullerenschicht.
Furthermore, the process comprises heat treating the composite for a particular period of time at a temperature which is sufficient for a brittle phase to be formed at the interface between the first material and the second material.
Das Verfahren beinhaltet ferner, dass der Verbundwerkstoff für einen bestimmten Zeitraum bei einer Temperatur angelassen wird, die ausreicht, damit sich an der Grenzfläche zwischen dem ersten und dem zweiten Werkstoff eine Sprödphase bildet.
The article of any preceding claim, wherein the volume porosity in the second layer is greatest on the surface farthest away from, and gradually decreases towards, the interface between the first and second layers.
Gegenstand nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Volumenporosität in der zweiten Schicht an der von der Grenzfläche zwischen der ersten und der zweiten Schicht am weitesten entfernten Oberfläche am größten ist und allmählich zu der Grenzfläche hin abnimmt.
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