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ion etching process
Vertaling van "ion etching process" in Duits
Ionenätzverfahren
lonenätzverfahren
Ionenätzvorgang
Ionenätzprozeß
Selective anisotropic reactive ion etching process for polysilicide composite structures.
Selektives anisotropisches reaktives Ionenätzverfahren für zusammengesetzte Strukturen aus Polysiliziden.
A process as claimed in claim 9, characterized in that the process further includes a step of narrowing a portion (15) of the oxide superconductor thin film, which crosses the step portion formed of the oxide thin film by a reactive ion etching process.
Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren außerdem den Schritt des Einengens eines Abschnitts (15) der oxidischen supraleitenden Dünnschicht aufweist, welcher den Stufenabschnitt in der oxidischen Dünnschicht kreuzt durch ein reaktives Ionenätzverfahren.
Process according to Claim 9 or 10, characterized in that the metal layer thickness is selected in such a way that the metal is completely etched away during the subsequent ion etching process.
Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallschichtdicke so gewählt wird, dass das Metall beim nachfolgenden lonenätzverfahren vollständig weggeätzt wird.
Microswitch according to Claim 9, characterized in that at least the contact mount (1) and/or the drive is preferably formed from the substrate by an ion etching process.
Mikroschalter nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest der Kontaktträger (1) und/oder der Antrieb vorzugsweise durch ein lonenätzverfahren aus dem Substrat herausgearbeitet sind.
A method according to claim 4 including partially removing said first masking layer for exposing said fourth layer by a reactive ion etching process.
Verfahren nach Anspruch 4, bei dem die erste Maskierungsschicht teilweise entfernt wird, um die vierte Schicht freizulegen, und zwar durch einen reaktiven Ionenätzvorgang.
A method according to claim 5 wherein said first masking layer comprises said photoresist and said fourth layer comprises silicon dioxide, and including monitoring the plasma used in said reactive ion etching process and stopping said process when silicon dioxide is detected in said plasma.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei die erste Maskierungsschicht den Fotoresist umfasst und die vierte Schicht Siliziumdioxid umfasst, und bei dem das bei dem reaktiven Ionenätzvorgang verwendete Plasma überwacht und der Vorgang gestoppt wird, wenn Siliziumdioxid in dem Plasma erkannt wird.
Process for the real-tame control of the etching selectivity by analysis of the plasma gases in a reactive ion etching process, and reactor for carrying it out.
Verfahren zur Echtzeit-Kontrolle der Ätzselektivität mittels einer Analyse der Plasmagase ein einem reaktiven Ionenätzverfahren und Reaktor zur Anwendung desselben.
Method according to one of the preceding Claims, characterized in that the second etching step is carried out using a reactive ion etching process, the substrate provided with the light-guiding layer being manufactured from III-V semiconductor material and the auxiliary mask layer being manufactured from dielectric material.
Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Ätzschritt mit einem reaktiven Ionenätzverfahren ausgeführt wird, wobei das Substrat, welches mit dem Lichtwellenleiter versehen ist, aus III-V Halbleitermaterial hergestellt worden ist und die Hilfsmaskenschicht aus dieleketrischem Material hergestellt worden ist.
The invention relates to a method for making a trench in a substrate layer, by means of the ion etching process.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bildung eines Grabens in einer Substratschicht mittels des Jonen-Ätzverfahren.
Process for making trenches for high density semiconductor integrated circuits using a reactive ion etching process.
Verfahren zum Erzeugen von Gräben in Siliziumsubstraten durch reaktives Ionenätzen bei der Herstellung höchstintegrierter Halbleiterschaltungen.
A process according to claim 1, wherein said dry-etching step is performed by a reactive ion etching process.
Prozeß gemäß Anspruch 1, worin der Trockenätzschritt durch einen reaktiven Ionenätzprozeß durchgeführt wird.
Method as in one of claims 19 to 23, characterised in that the plasma and/or ion etching process is carried out using additional electrodes, or ion guns are used for this purpose.
Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 23, dadurch gekennzeichnet, daß die Plasma- und/oder Ionenätzung mittels zusätzlicher Elektroden erfolgt oder Ionenquellen hierfür eingesetzt werden.
A method in accordance with any of claims 1 to 3, characterised in that a metal ion etching process by the cathodic arc discharge method is carried out exclusively with the TiAl target.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein Metallionenätzvorgang mit der kathodischen Bogenentladung ausschließlich mit dem TiAl-Target durchgeführt wird.
Synoniemen voor ion etching process in het Engels
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