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isotropic etch
Vertaling van "isotropic etch" in Duits
isotropes Ätzen
isotrope Ätzen
An isotropic etch profile is possible as well as an anisotropic.
Dabei ist sowohl ein isotropes als auch ein anisotropes Ätzprofil möglich.
Global planarization using self aligned polishing or spacer technique and isotropic etch process
Verfahren zur globalen Planarisierung mit selbstjustierendem Polier- oder Spacerprozess und isotropischem Ätzverfahren
A method as claimed in claim 1, characterized in that the first and the second mask layer of resist are removed with an isotropic etch.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste und die zweite Maskierungsschicht aus Photolack bei einer isotropen Ätzung entfernt werden.
The method of claim 7, whereby said guard cell (502) is not etched completely through by said isotropic etch.
Verfahren nach Anspruch 7, wobei die Schutzzelle (502) nicht vollständig durch das isotrope Ätzen geätzt wird.
A process according to claim 2, characterized in that the selective etch of said first dielectric layer material (16) covering said sidewalls utilizes an isotropic etch highly preferential to stressed silicon dioxide over unstressed silicon dioxide.
Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß beim selektiven Ätzen des die Seitenwände abdeckenden Materials (16) der ersten dielektrischen Schicht ein isotropes Ätzen verwendet wird, das gegenüber spannungsfreiem Siliziumdioxid in hohem Maße unter Spannungen stehendes Siliziumdioxid bevorzugt.
The process of claim 2, 3 or 4 wherein the isotropic etch removes less than ten percent of the diaphragm (16) thickness.
Das Verfahren nach Anspruch 2 oder 4, wobei die isotrope Ätze weniger als 10% der Dicke der Membran (16) entfernt.
A method as claimed in any one of claims 1 to 4, wherein said pattern is cross-shaped and said isotropic etch results in intersecting micro-channels.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Muster kreuzförmig ist und das isotrope Ätzen sich schneidende Mikrokanäle zum Ergebnis hat.
The method of claim 10 wherein said etching step which forms said via (312) is a combination of a reactive ion etch and an isotropic etch.
Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Ätzschritt, welcher das Loch (312) bildet, eine Kombination einer reaktiven Ionenätzung und einer isotropischen Ätzung ist.
A process according to claim 1, characterized in that said step of etching silicon nitride in the presence of said mask (32) is effected by an isotropic etch suitable to thin said oxide layer (26).
Ein Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt Atzen von Siliziumnitrid in Gegenwart der Maske (32) durchgeführt wird durch ein isotropes Ätzen, das geeignet ist, die Oxidschicht (26) dünner zu machen.
The process of claim 2 wherein the diaphragm (16) formed by the anisotropic etch has a first rupture pressure and the diaphragm (16) formed by the isotropic etch has a second rupture pressure whereby the second rupture pressure is greater than the first.
Das Verfahren nach Anspruch 2, wobei die durch die anisotrope Ätze gebildete Membran (16) einen ersten Reißdruck und die durch die isotrope Ätze gebildete Membran (16) einen zweiten Reißdruck aufweist, wobei der zweite Reißdruck größer ist als der erste.
The process of any of the preceding claims wherein said depressions (80, 81; 95) in the second surface regions are formed by an anisotropic etch, and said undercut portions in said second insulation layer are formed by an isotropic etch.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Vertiefungen (80, 81; 95) in den zweiten Oberflächenbereichen durch ein anisotropes Ätzen gebildet werden, und wobei die hinterschnittenen Teile in der zweiten Isolierschicht durch ein isotropes Ätzen gebildet werden.
The method of Claim 4 wherein the isotropic etch forms an undercut under a side of the patterned first polycrystalline silicon layer (36).
Verfahren nach Anspruch 4, bei welchem das isotrope Ätzen eine Unterschneidung unter einer Seite der gemusterten ersten polykristallinen Siliziumschicht (36) ausbildet.
The method of Claim 3 wherein said etching back step further comprises an isotropic etch following the anisotropic etch.
Verfahren nach Anspruch 3, bei welchem der Zurückätzschritt weiter in isotropes Ätzen aufweist, das dem anisotropen Ätzen folgt.
Synoniemen voor isotropic etch in het Engels
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