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layer of semiconductor material
Vertaling van "layer of semiconductor material" in Duits
Schicht aus Halbleitermaterial
Schicht des Halbleitermaterials
Halbleitermaterialschicht
Schicht Halbleitermaterial
Schicht aus einem Halbleitermaterial
Oberflächenschicht aus Halbleiter-Material
Schicht eines Halbleitermaterials
A process according to claim 6, characterized in that said conformal layer of semiconductor material (26) is selectively patterned and interconnected by metallization following the doping step.
Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die konforme Schicht aus Halbleitermaterial (26) selektiv strukturiert und nach dem Dotierungsschritt mit einer Metallisierung durchverbunden wird.
A method according to any one of claims 4 to 8, wherein said layer of semiconductor material is provided in the form of semiconductor bodies separated by isolation regions.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 4 bis 8, wobei die Schicht aus Halbleitermaterial in Form von durch Isolierbereiche getrennten Halbleiterkörpern hergestellt wird.
A method as claimed in claim 8 wherein the first layer of semiconductor material is silicided to improve its selectivity as an etch stop.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die erste Schicht des Halbleitermaterials silizidiert wird, um seine Selektivität als Ätzbarriere zu erhöhen.
A method of as claimed in claim 8 wherein the first level of metal (32) is removed from the second aperture by etching and the first layer of semiconductor material acts as an etch stop.
Verfahren nach Anspruch 8, wobei das erste Niveau des Metalls (32) von der zweiten Öffnung durch Ätzen entfernt wird und die erste Schicht des Halbleitermaterials als Ätzbarriere dient.
The method of claim 1 characterized by selecting thickness of the flexible substrate and/or encapsulant layer so that the neutral plane of the integrated circuit is located within five percent of an overall thickness of the integrated circuit from the layer of semiconductor material.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des flexiblen Substrats und/oder der Kapselungsschicht so gewählt ist, daß die neutrale Ebene der integrierten Schaltung innerhalb von 5% der Gesamtdicke der integrierten Schaltung entfernt von der Halbleitermaterialschicht zu liegen kommt.
The method of claim 8 wherein the neutral plane of the integrated circuit is located within five percent of the overall thickness of the integrated circuit from the layer of semiconductor material.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die neutrale Ebene innerhalb von 5% der Gesamtdicke der integrierten Schaltung entfernt von der Halbleitermaterialschicht zu liegen kommt.
A semiconductor device according to claim 4 wherein said first and second predetermined portions are disposed in separate islands (13,15) of said layer of semiconductor material.
Halbleiterelement nach Anspruch 4, worin der erste und zweite vorbestimmte Teil in separaten Inseln (13,15) der Schicht aus Halbleitermaterial angeordnet sind.
The magnetic memory cell of claim 1 further comprising a gate contact (37) spaced apart from the layer of semiconductor material for controlling the electron flow through the semiconductor layer.
Magnetische Speicherzelle gemäß Anspruch 1, die weiterhin einen Gatekontakt (37) umfasst, der mit einem Abstand von der Schicht aus Halbleitermaterial zum Steuern des Elektronenflusses durch die Halbleiterschicht angeordnet ist.
An integrated circuit as claimed in claim 2 wherein said semiconductor material is silicon, and said first layer of semiconductor material (22) consists of material selected from group comprising silicide and polysilicon.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 2, wobei das Halbleitermaterial Silizium ist und die erste Schicht des Halbleitermaterials (22) aus Material besteht, welches aus der Gruppe gewählt ist, die Silizid und Polysilikon umfaßt.
The process of claim 1 wherein the layer of semiconductor material is formed over the dielectric material by epitaxial growth of silicon on the exposed portion of the silicon substrate; depositing amorphous silicon over the epitaxial silicon and the dielectric material and recrystallizing the amorphous silicon.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Schicht aus Halbleitermaterial über dem dielektrischen Material gebildet wird durch epitaxiales Aufwachsen von Silizium auf dem freiliegenden Bereich des Siliziumsubstrats, Aufbringen von amorphem Silizium über dem Epitaxie-Silizium und dem dielektrischen Material sowie durch Rekristallisieren des amorphen Siliziums.
The integrated circuit as claimed in claim 1 or 2, wherein the semiconductor layer (12, 13) is an epitaxial layer of semiconductor material formed on the substrate (10), thereby forming with the substrate a composite structure having at least two semiconductor layers.
Die integrierte Schaltung gemäß Anspruch 1 oder 2, bei der die Halbleiterschicht (12, 13) eine epitaktische Schicht aus Halbleitermaterial ist, die auf dem Substrat (10) gebildet ist, wodurch mit dem Substrat eine zusammengesetzte Struktur mit mindestens zwei Halbleiterschichten gebildet wird.
Method according to claim 8, characterized by forming said intermediate conducting region (15) as a layer of semiconductor material (15) on a buried isolator (3) on a semiconductor substrate (5).
Verfahren nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch die Ausbildung des Zwischenleiterbereiches (15) als Schicht aus Halbleitermaterial (15) auf einem vergrabenen Isolator (3) auf einem Halbleitersubstrat (5).
A method according to any of the preceding claims, wherein the said layer of semiconductor material (1) is composed of silicon and said insulating layer (2) is composed of silicon dioxide or silicon nitride.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Schicht des Halbleitermaterials (1) aus Silizium zusammengesetzt ist und bei dem die isolierende Schicht (2) aus Siliziumdioxid oder Siliziumnitrid zusammengesetzt ist.
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