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magnetic random access memory array
Vertaling van "magnetic random access memory array" in Duits
Magnet-RAM-Array
The magnetic random access memory of claim 1, wherein the data input means and the data output means are electrically connected to an input selection decoder and an output selection decoder, respectively, within the magnetic random access memory array to select a particular unit memory device.
Magnetischer Direktzugriffspeicher nach Anspruch 1, wobei das Dateneingabemittel und das Datenausgabemittel mit einem Eingangsauswahldekoder bzw. einem Ausgangsauswahldekoder in der magnetischen Direktzugriffspeicheranordnung verbunden sind, um eine bestimmte Speichervorrichtungseinheit auszuwählen.
Magnetic random access memory array with thin conduction electrical read and write lines
Magetspeicherzellenfeld mit wahlfreiem Zugriff mit dünnen elektrisch leitfähigen Lese- und Schreibleitungen
Magnetic random access memory array with coupled soft magnetic adjacent layer
Magnetisches Speicherzellenfeld mit benachbarter gekoppelter weichmagnetischer Schicht
Magnetic random access memory array with global write lines
Magnetischer Random-Zugangsspeicher mit globalen Schreib-Leitungen
The magnetic random access memory array as claimed in claim 2 further including a second line controller (12) for activating one of the plurality of second lines.
Magnet-RAM-Array nach Anspruch 2, das weiterhin einen zweiten Leitungscontroller (12) zum Aktivieren einer der Mehrzahl von zweiten Leitungen aufweist.
The magnetic random access memory array as claimed in claim 3 further including a line selector (11) for electrically connecting the first input to one of the plurality of first lines in the each first line group.
Magnet-RAM-Array nach Anspruch 3, das weiterhin einen Leitungsselektor (11) zum elektrischen Verbinden des ersten Eingangs mit einer aus der Mehrzahl von ersten Leitungen der jeweiligen Gruppe aus ersten Leitungen aufweist.
The magnetic random access memory array as claimed in claim 9 further including a plurality of switches (28-30), each switch connected to each second line for electrically coupling the second layer of each magnetic memory to a common line (33).
Magnet-RAM-Array nach Anspruch 9, das weiterhin eine Mehrzahl von Schaltern (28-30) aufweist, wobei jeder Schalter mit jeder zweiten Leitung verbunden ist, um die zweite Schicht jedes Magnetspeichers mit einer gemeinsamen Leitung (33) elektrisch zu koppeln.
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