A semiconductor integrated circuit device as claimed in claim 1, characterized in that the semiconductor integrated circuit device is a master slice type integrated circuit device.
Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die integrierte Halbleiterschaltung eine Halbleiterschaltung ist, deren endgültige Funktion vom Benutzer bestimmt wird (Master-Slice Typ).
Master slice semiconductor device.
Semiconductor device adapted for a master slice approach and method for fabricating the same.
Halbleiterbauelement geeignet für eine "master slice" Behandlung und Herstellungsverfahren.
Method of forming semiconductor integrated circuit using master slice approach.
A memory as claimed in any preceding claim, being of the master slice type.
Complementary metal-oxide semiconductor integrated circuit device of master slice type.
Komplementaire Metalloxidhalbleiter enthaltende integrierte Schaltungsvorrichtung in Mutterscheibentechnik.
A semiconductor integrated circuit device as claimed in any of claims 1 to 8, characterized in that said semiconductor integrated circuit device is a master slice type semiconductor integrated circuit device.
Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung eine integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung des Master-Slice-Typs ist.
Integrated semiconductor circuit of the master slice type.
A master slice type integrated circuit as claimed in claim 6, characterized in that the driving capability of the transistors constituting the first inverter (46) is greater than that of the transistors constituting the second inverter (47).
Integrierte Schaltung vom Master-Slice-Typ nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Treiberleistung der den ersten Inverter (46) bildenden Transistoren größer ist als diejenige der den zweiten Inverter (47) bildenden Transistoren.
A master slice type integrated circuit as claimed in claim 3, characterized in that the output buffer is an inverter (34) composed of the pair of n- and p-channel metal oxide semiconductor transistors.
Integrierte Schaltung vom Masterslice-Typ nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausgangspuffer ein Inverter (34) ist, der mit dem Paar n- und p-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Transistoren aufgebaut ist.
A master slice type integrated circuit as claimed in claim 3, characterized in that the output buffer is made up of inverters connected in parallel, each of which is composed of the pair of n- and p-channel metal oxide semiconductor transistors of two cells forming a pair.
Integrierte Schaltung vom Masterslice-Typ nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausgangspuffer aus parallel geschalteten Invertern aufgebaut ist, von denen jeder mit dem Paar n- und p-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Transistoren der ein Paar bildenden beiden Zellen aufgebaut ist.
A master slice type integrated circuit as claimed in claim 1, characterized in that the latch cells (27) each comprise transistors having different driving capabilities smaller than the driving capability of the transistors of each basic cell (21).
Integrierte Schaltung vom Master-Slice-Typ nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jede der Verriegelungszellen (27) Transistoren umfaßt, deren Treiberleistungen sich voneinander unterscheiden und kleiner sind als die Treiberleistung der Transistoren jeder Basiszelle (21).
A master slice type integrated circuit as claimed in any one of claims 1 to 8, characterized in that the plurality of the latch circuits (26) are arranged at both end portions of each of the basic cell columns (22).
Integrierte Schaltung vom Master-Slice-Typ nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Mehrzahl von Verriegelungszellen (27) in den beiden Endbereichen jeder Basiszellen-Spalte (22) angeordnet ist.