A semiconductor integrated circuit device as claimed in claim 1, characterized in that the semiconductor integrated circuit device is a master slice type integrated circuit device.
Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die integrierte Halbleiterschaltung eine Halbleiterschaltung ist, deren endgültige Funktion vom Benutzer bestimmt wird (Master-Slice Typ).
Semiconductor device adapted for a master slice approach and method for fabricating the same.
Halbleiterbauelement geeignet für eine "master slice" Behandlung und Herstellungsverfahren.
Method of forming semiconductor integrated circuit using master slice approach.
A memory as claimed in any preceding claim, being of the master slice type.
Complementary metal-oxide semiconductor integrated circuit device of master slice type.
A master slice type semiconductor circuit device as claimed in claim 1, wherein said first and second conductive lines intersect each of said input lines (13, 14).
Halbleiterschaltungsvorrichtung vom Hauptscheibentyp nach Anspruch 1, bei der die ersten und zweiten leitenden Leitungen jede der genannten Eingangsleitungen (13, 14) kreuzen.
A master slice type semiconductor circuit device as claimed in claim 11, wherein said at least one contact hole (13a, 14a) is used for connecting said gate conductive layer and at least one of said input lines.
Halbleiterschaltungsvorrichtung vom Hauptscheibentyp nach Anspruch 11, bei der wenigstens ein Kontaktloch (13a, 14a) zum Verbinden der leitenden Gateschicht mit wenigstens einer der genannten Eingangsleitungen verwendet ist.
A master slice type semiconductor circuit device as claimed in any of claims 1 to 8, wherein said first, second conductive lines are power source lines (11, 12).
Halbleiterschaltungsvorrichtung vom Hauptscheibentyp nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei der die ersten und zweiten leitenden Leitungen Energiequellenleitungen (11, 12) sind.
A master slice type semiconductor circuit device as claimed claim 4, wherein said aluminum wiring is connected to aluminum wiring of said logic block by using said contact hole (13a, 14a).
Halbleiterschaltungsvorrichtung vom Hauptscheibentyp nach Anspruch 4, bei der die Aluminiumverdrahtung mit der Aluminiumverdrahtung des logischen Blockes unter Verwendung des Kontaktloches (13a, 14a) verbunden ist.
A semiconductor integrated circuit device as claimed in any of claims 1 to 8, characterized in that said semiconductor integrated circuit device is a master slice type semiconductor integrated circuit device.
Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung eine integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung des Master-Slice-Typs ist.
Integrated semiconductor circuit of the master slice type.
A master slice type integrated circuit as claimed in claim 6, characterized in that the driving capability of the transistors constituting the first inverter (46) is greater than that of the transistors constituting the second inverter (47).
Integrierte Schaltung vom Master-Slice-Typ nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Treiberleistung der den ersten Inverter (46) bildenden Transistoren größer ist als diejenige der den zweiten Inverter (47) bildenden Transistoren.
A master slice type integrated circuit as claimed in claim 3, characterized in that the output buffer is an inverter (34) composed of the pair of n- and p-channel metal oxide semiconductor transistors.
Integrierte Schaltung vom Masterslice-Typ nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausgangspuffer ein Inverter (34) ist, der mit dem Paar n- und p-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Transistoren aufgebaut ist.