Vertaling van "master slice type semiconductor" in Duits
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vom Hauptscheibentyp
A master slice type semiconductor circuit device as claimed in claim 1, wherein said first and second conductive lines intersect each of said input lines (13, 14).
Halbleiterschaltungsvorrichtung vom Hauptscheibentyp nach Anspruch 1, bei der die ersten und zweiten leitenden Leitungen jede der genannten Eingangsleitungen (13, 14) kreuzen.
A master slice type semiconductor circuit device as claimed in claim 11, wherein said at least one contact hole (13a, 14a) is used for connecting said gate conductive layer and at least one of said input lines.
Halbleiterschaltungsvorrichtung vom Hauptscheibentyp nach Anspruch 11, bei der wenigstens ein Kontaktloch (13a, 14a) zum Verbinden der leitenden Gateschicht mit wenigstens einer der genannten Eingangsleitungen verwendet ist.
A master slice type semiconductor circuit device as claimed in any of claims 1 to 8, wherein said first, second conductive lines are power source lines (11, 12).
Halbleiterschaltungsvorrichtung vom Hauptscheibentyp nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei der die ersten und zweiten leitenden Leitungen Energiequellenleitungen (11, 12) sind.
A master slice type semiconductor circuit device as claimed claim 4, wherein said aluminum wiring is connected to aluminum wiring of said logic block by using said contact hole (13a, 14a).
Halbleiterschaltungsvorrichtung vom Hauptscheibentyp nach Anspruch 4, bei der die Aluminiumverdrahtung mit der Aluminiumverdrahtung des logischen Blockes unter Verwendung des Kontaktloches (13a, 14a) verbunden ist.
A semiconductor integrated circuit device as claimed in any of claims 1 to 8, characterized in that said semiconductor integrated circuit device is a master slice type semiconductor integrated circuit device.
Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung eine integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung des Master-Slice-Typs ist.
A master slice type semiconductor circuit device as claimed in any of claims 10 to 13, wherein the accessable memory area of said memory cell array is determined by an address signal through said word address register group (18) and word decoder group (19).
Halbleiterschaltungsvorrichtung vom Hauptscheibentyp nach einem der Ansprüche 10 bis 13, bei der der zugreifbare Speicherbereich des Speicherzellenarray durch eine Adreßsignal durch die Wortadreßregistergruppe (18) und die Wortdekodergruppe (19) bestimmt ist.
A master slice type semiconductor circuit device as claimed in claim 18, wherein said P⁺ or N⁺ type diffusion layer of a (selected input basic cell is clipped to said power source line by using a contact hole.
Halbleiterschaltungsvorrichtung vom Hauptscheibentyp nach Anspruch 18, bei der die P⁺- oder N⁺-Diffusionsschicht von einer ausgewählten Eingangsbasiszelle durch Verwendung eines Kontaktloches an die Energiequellenleitung geklemmt ist.
A master slice type semiconductor circuit device as claimed in claim 9, at least one contact hole being used for connecting said power source lines and a P⁺ or N⁺ type substrate contact area.
Halbleiterschaltungsvorrichtung vom Hauptscheibentyp nach Anspruch 9, mit der wenigstens ein Kontaktloch zur Verbindung der Energiequellenleitungen mit einem P⁺- oder N⁺-Substratkontaktbereich verwendet ist.
A master slice type semiconductor integrated circuit as claimed in claim 1, wherein the conductive gate electrode of said P-channel MOSFET and the conductive gate electrode of said N-channel MOSFET in each of said pairs are integrally formed by a common electrode.
Eine integrierte Halbleiterschaltung des Master-Slice-Typs nach Anspruch 1, bei der die leitfähige Gateelektrode des genannten P-Kanal-MOSFET und die leitfähige Gateelektrode des genannten N-Kanal-MOSFET in jedem der genannten Paare durch eine gemeinsame Elektrode integral gebildet sind.
Master slice type semiconductor integrated circuit having sea of gates.
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