Gesproken tekst vertalen, offlinefuncties, synoniemen, vervoegingen, educatieve spelletjes
Publiciteit
Sluit u aan bij Reverso, het is gratis en gemakkelijk!
memory array as claimed
Vertaling van "memory array as claimed" in Duits
Speichermatrix nach
Speichermatrix gemäß
Speicherfeld wie
Speicher-Array nach
Speicherfeld nach
Speicher-Mehrfachanordnung nach
Magnet-RAM-Array nach
A memory array as claimed in any preceding claim and wherein each cell includes a storage capacitor and a pass transistor.
Speichermatrix nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der jede Zelle einen Speicherkondensator und einen Durchgangstransistor aufweist.
A memory array as claimed in claim 1 and wherein said first and third partial bitlines are formed of polysilicon.
Speichermatrix nach Anspruch 1, bei der die erste und die dritte Teilbitleitung aus Polysilicium gebildet sind.
A memory array as claimed in claim 4 wherein the inhibit circuitry inhibits the first trigger circuitry (420).
Speichermatrix gemäß Anspruch 4, bei welcher der Sperrschaltkreis den ersten Auslöseschaltkreis (420) sperrt.
A memory array as claimed in claim 10 wherein a further path (511) parallel to the first current path is enabled when the supply potential is at said second level.
Speichermatrix gemäß Anspruch 10, bei welcher ein weiterer Pfad (511) parallel zu dem ersten Strompfad freigegeben wird, wenn das Versorgungspotential bei dem zweiten Pegel ist.
Memory array as claimed in claim 1, wherein said dual sense amplifier means and said switch means are of CMOS semiconductor construction.
Speicherfeld wie in Anspruch 1 offenbart, wobei das duale Leseverstärkermittel und das Schaltermittel aus CMOS-Halbleiter bestehen.
Memory array as claimed in claim 6, wherein a plurality of pairs of bit lines is associated with said dual sense amplifier means, each of said pairs of bit lines being electrically connectable to said dual sense amplifier means by multiplexer switch (MUXP, MUXN).
Speicherfeld wie in Anspruch 6 offenbart, wobei eine Vielzahl von Bitleitungspaaren mit dem dualen Leseverstärkermittel verbunden ist, wobei jedes der Bitleitungspaare elektrisch an dieses duale Leseverstärkermittel über einen Multiplexerschalter (MUXP, MUXN) anschließbar ist.
A memory array as claimed in any preceding claim and wherein said first partial bitline is positioned vertically aligned with said second partial bitline and said third partial bitline is positioned vertically aligned with said fourth partial bitline.
Speichermatrix nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die erste Teilbitleitung mit der zweiten Teilbitleitung vertikal ausgerichtet positioniert ist und die dritte Teilbitleitung mit der vierten Teilbitleitung vertikal ausgerichtet positioniert ist.
A non-volatile memory array as claimed in claim 8 wherein each cell has a third terminal (8) for selective connection to the voltage supply whereby each cell may be erased.
Nicht-flüchtige Speichermatrix nach Anspruch 8, wobei jede Zelle einen dritten Anschluß (8) zur wahlweisen Verbindung mit der Spannungsversorgung aufweist, wodurch jede Zelle gelöscht werden kann.
A non-volatile memory array as claimed in claim 3 or 4 wherein the control circuitry (302) has memory circuitry programmable to set the value of said voltage.
Nicht-flüchtige Speichermatrix nach Anspruch 3 oder 4, wobei die Steuerungsschaltung (302) eine Speicherschaltung aufweist, welche programmierbar ist, um den Wert der Spannung einzustellen.
A memory array as claimed in claim 1 wherein said first and third partial bitlines comprise deposited metal formed on an insulating layer, said insulating layer electrically separating said first and third partial bitlines and said second and fourth partial bitlines.
Speichermatrix nach Anspruch 1, bei der die erste und die dritte Teilbitleitung auf einer Isolierschicht gebildetes, abgeschiedenes Metall aufweisen, wobei die Isolierschicht die erste und die dritte Teilbitleitung und die zweite und die vierte Teilbitleitung elektrisch trennt.
A memory array as claimed in any one of claims 4-18, comprising a flash memory array, and wherein the control line comprises an array ground of said flash memory array.
Speichermatrix gemäß einem der Ansprüche 4-18, welche eine Flash-Speichermatrix aufweist, und bei welcher die Steuerleitung eine Matrix-Erde der Flash-Speichermatrix aufweist.
A memory array as claimed in claim 1 or claim 2 in which the or each switch control (420,421) is arranged to switch on sequentially a changing number of said switch devices.
Speichermatrix gemäß Anspruch 1 oder 2, bei welcher die oder jede Schaltsteuerung (420,421) so angeordnet ist, daß sequentiell eine sich ändernde Zahl der Schaltbauelemente eingeschaltet wird.
A memory array as claimed in claim 1, claim 2 or claim 3 and wherein said second and fourth partial bitlines comprise highly doped regions in a semiconductive substrate.
Speichermatrix nach Anspruch 1, Anspruch 2 oder Anspruch 3, bei der die zweite und die vierte Teilbitleitung hoch dotierte Zonen in einem Halbleitersubstrat aufweisen.
Woord & uitdrukking van de dag
Afbeelding van de dag
Resultaten: 37. Exact: 37. Verstreken tijd: 83 ms.
