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memory array as set forth
Vertaling van "memory array as set forth" in Duits
Speicherfeld nach
Speicheranordnung nach
Schreiblesespeichern nach
Matrixspeicher nach
A memory array as set forth in claim 15 wherein said groups are isolated from each other by a recessed oxide.
Speicherfeld nach Anspruch 15, wobei die besagten Gruppen voneinander durch ein ausgespartes Oxid isoliert sind.
A memory array as set forth in one of the claims 11 to 14 wherein a plate of each of said storage capacitors is a polysilicon plate arranged in a third layer over said substrate.
Speicherfeld nach einem der Ansprüche 11 bis 14, wobei eine Elektrode von jedem der besagten Speicherkondensatoren eine Polysiliziumelektrode ist, die in einer dritten Schicht über das besagte Substrat angeordnet ist.
Memory array as set forth in claim 1 wherein said devices are field effect transistors.
Speicheranordnung nach Anspruch 1, bei der die Bauelemente Feldeffekttransistoren sind.
Memory array as set forth in claim 1 characterized in that the conductive line is coupled through the first device to a storage capacitor of the first cell and through the second device to a storage capacitor of the second cell, and to a sense amplifier.
Speicheranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitung über das erste Bauelement mit einem Speicherkondensator der ersten Zelle und über das zweite Bauelement mit einem Speicherkondensator der zweiten Zelle und einem Leseverstärker verbunden ist.
A memory array as set forth in one the the claims 10 to 13 wherein each of the lines of said second set of word line (WL) includes a plurality of segments and a metallic strap (48,50) interconnects said segments.
Speicherfeld nach einem der Ansprüche 10 bis 13, wobei jede der Leitungen des besagten zweiten Satzes von Wortleitungen (WL) eine Mehrzahl von Segmenten umfaßt und eine metallische Brücke (48, 50), die die besagten Segmente verbindet.
A memory array as set forth in claim 7 or 8 wherein said bit/sense line (BL) is a metallic line and said one word line (WL) has a zigzag configuration and is made of polysilicon.
Speicherfeld nach Anspruch 7 oder 8, wobei die besagte Bit/Prüfleitung (BL) eine metallische Leitung ist und die besagte eine Wortleitung (WL) eine Zickzackstruktur hat und aus Polysilizium hergestellt ist.
A memory array as set forth in claim 11 or 12 wherein the lines of said first set of word lines (WL) are diagonal to the lines of said second set of word lines (WL) and to said bit/sense lines (BL).
Speicherfeld nach Anspruch 11 oder 12, wobei die Leitungen des ersten Satzes von Wortleitungen (WL) diagonal zu den Leitungen des besagten zweiten Satzes von Wortleitungen (WL) und zu den besagten Bit/Prüfleitungen (BL) sind.
Memory array as set forth in claim 2 further including a sense amplifier (28) connected to said conductive line (SL).
Speicheranordnung nach Anspruch 2, weiter enthaltend einen Leseverstärker (28), der mit der Leitung (SL) verbunden ist.
Memory array as set forth in claim 5, characterized in that each of said word lines (38) and the gate electrodes (14) contacting the respective word line is an integral structure made of doped polysilicon.
Speicheranordnung gemäß Anspruch 5 gekennzeichnet dadurch, daß alle Wortleitungen (38) und die die entsprechenden Wortleitungen kontaktierenden Gate-Elektroden (14) ein aus dotiertem Polysilicium gebildete einheitliche Struktur darstellen.
Memory array as set forth in claims 1 to 3, characterized in that the n-p-n-transistors are vertical n-p-n-polysilicon base type bipolar transistors.
Matrixspeicher nach Patentansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die n-p-n-Transistoren vertikale bipolare n-p-n-Polysilizium-BasistypTransistoren sind.
Memory array as set forth in claim 9, characterized by n source lines with a separate one of the n select lines (SL) being associated with a separate one of the columns of memory cells.
Matrixspeicher nach Patentanspruch 9, gekennzeichnet durch n Sourceleitungen, die einer der n Wählleitungen einer gesonderten Spalte von Speicherzellen zugeordnet sind.
Dynamic random access memory array as set forth in claims 1 or 2 wherein said conductive plate is made of doped polysilicon and said word lines are made of a silicide.
Matrix von dynamischen Schreiblesespeichern nach Ansprüchen 1 oder 2, bei der die leitende Platte aus dotiertem Polysilicium und die Wortleitungen aus einem Silicid bestehen.
Dynamic random access memory array as set forth in claim 1, characterized by an insulation layer disposed on said conductive plate between said word lines and said conductive plate.
Matrix von dynamischen Schreiblesespeichern nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Isolationsschicht auf der leitenden Platte zwischen den Wortleitungen und der leitenden Platte angebracht ist.
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