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Speicheranordnung mit
method for protecting a memory array having one or more memory cells whose memory state can be changed by applying a voltage to the two poles of the memory cell, characterized by the step of: preparing a short-circuit between the respective two poles of the memory cells.
Memory Verfahren zum Schutz einer Speicheranordnung mit einer oder mehreren Speicherzellen, deren Speicherzustand durch Anlegen einer Spannung an zwei Pole der Speicherzelle geändert werden kann, gekennzeichnet durch den Schritt: Herstellen eines Kurzschlusses zwischen den jeweiligen zwei Polen der Speicherzellen.
The invention relates to a memory array having a memory (101), wherein at least one memory region (201,203) of the memory (101) can be configured depending on a required memory operating speed as a data memory or buffer memory.
Die Erfindung betrifft eine Speicheranordnung mit einem Speicher (101), wobei zumindest ein Speicherbereich (201,203) des Speichers (101) in Abhängigkeit von einer benötigten Speicherarbeitsgeschwindigkeit als Datenspeicher oder als Pufferspeicher konfigurierbar ist.
MEMORY ARRAY HAVING A PLURALITY OF ADDRESS PARTITIONS.
One-time, voltage-programmable, read-only memory array having memory cell igfets, each of which is coupled to a reference voltage line via an anti-fuse element.
Einmalig spannungsprogrammierbares Festwertspeicherfeld mit IGFET-Speicherzellen, von denen jede an eine Referenzspannungsleitung über ein Anti-Sicherungselement gekoppelt ist.
The circuit of any one of the claims 1 to 11, further comprising a memory array having addressable data storage locations, said memory array being coupled to said data path.
Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, die ferner eine Speichermatrix mit adressierbaren Datenspeicherplätzen besitzt, wobei die Speichermatrix mit dem Datenpfad gekoppelt ist.
The memory subsystem as recited in claim 12, wherein each of said dynamic random access memory (DRAM) chips includes a memory array having cells, each of said cells configured to store one bit of information.
Speicherteilsystem nach Anspruch 12, wobei jeder der dynamischen Speicherchips mit wahlweisem Zugriff (DRAM) ein Speicherarray umfaßt, welches Zellen hat, wobei jede der Zellen so ausgestaltet ist, daß sie ein Informationsbit speichert.
The method of claim 9 wherein the fabrication includes forming a memory array having an average memory array having an average memory bit area equal to 1F 2, where F is the resolution width of the lithographic tool.
Verfahren nach Anspruch 9, wobei die Herstellung ein Ausbilden einer Speicheranordnung mit einer mittleren Speicherbitfläche von 1F 2 umfasst, wobei F die Auflösungsbreite des Lithografiegeräts darstellt.
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