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memory array of claim
Vertaling van "memory array of claim" in Duits
Speicheranordnung nach Anspruch
Halbleiterspeicherfeld nach Anspruch
The memory array of claim 1, wherein the memory locations are addressed in a writing operation.
Speicheranordnung nach Anspruch 1, wobei die Speicherplätze in einer Schreiboperation adressiert werden.
The memory array of claim 1, further comprising microscale wires acting as ohmic contacts.
Speicheranordnung nach Anspruch 1, wobei diese ferner Drähte im Mikrobereich umfasst, die als ohmsche Kontakte dienen.
The memory array of claim 1, wherein the addressing wires are nanoscale wires.
Speicheranordnung nach Anspruch 1, wobei es sich bei den Adressierungsdrähten um Drähte im Nanobereich handelt.
The memory array of claim 1, further comprising microscale wires acting as disconnectors of signals from the nanoscale wires.
Speicheranordnung nach Anspruch 1, wobei diese ferner Drähte im Mikrobereich umfasst, die als Trenneinrichtungen von Signalen für Drähte im Nanobereich dienen.
The memory array of claim 1 wherein the memory elements (1, 2...
Speicheranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherelemente (1, 2...
The memory array of claim 1, wherein the difference between the first physical property and the second physical property is based on different materials of the controllable regions.
Speicheranordnung nach Anspruch 1, wobei die Differenz zwischen der ersten physikalischen Eigenschaft und der zweiten physikalischen Eigenschaft auf verschiedenen Materialien der steuerbaren Bereiche basiert.
The memory array of claim 1, wherein the first set of controllable regions allow conduction along the nanoscale wire when each region of the first set is either controlled with a signal having a value lower that a first threshold or is not controlled.
Speicheranordnung nach Anspruch 1, wobei die erste Gruppe steuerbarer Bereiche das Leiten entlang des Drahtes im Nanobereich ermöglicht, wenn jeder Bereich der ersten Gruppe entweder mit einem Signal mit einem Wert, der niedriger ist als ein erster Schwellenwert, gesteuert oder nicht gesteuert wird.
The memory array of claim 1, wherein the first set of nanoscale wires is part of a larger set of nanoscale wires, the first set being selected from the larger set by means of a microscale wire acting as an ohmic contact.
Speicheranordnung nach Anspruch 1, wobei die erste Gruppe von Drähten im Nanobereich Teil einer größeren Gruppe von Drähten im Nanobereich ist, wobei die erste Gruppe aus der größeren Gruppe durch einen Draht im Mikrobereich ausgewählt wird, der als ein ohmscher Kontakt fungiert.
The memory array of claim 4, wherein the driver circuits are spaced at regular intervals along the second conductive run across one dimension of the array, and are aligned with all of the columns in the array, including those not connected to common conductive runs.
Speicheranordnung nach Anspruch 4, in der die Treiberschaltungen in einer Dimension der Anordnung in gleichmäßigen Abständen entlang der zweiten leitfähigen Bahn beabstandet angeordnet sind und zu sämtlichen Spalten der Anordnung, einschließlich jener, die nicht an die gemeinsamen leitenden Bahnen angeschlossen sind, ausgerichtet sind.
The memory array of claim 1, further including second input means (31, 47) independent of the shift register (7) for writing data into the memory elements (1, 2... N).
Speicheranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß außerdem weitere von dem Schieberegister (7) unabhängige Eingabemittel (31, 47) zum Einschreiben von Daten in die Speicherelemente (1, 2... N) vorgesehen sind.
The memory array of claim 32, characterized in that, wherein said dynamic range and said multibit capabilities provides storage for at least 1 and 1/2 bits of binary information in a single cell memory element (30).
Speicheranordnung nach Anspruch 32, dadurch gekennzeichnet, dass der dynamische Bereich und die Multibit-Möglichkeiten Speicherplatz für mindestens 1 1/2 Bit an Binärinformation in einem Einzelzellen-Speicherelement (30) scharfen.
The memory array of claim 1, wherein the memory locations are defined by means of FET-type crossbar junctions between the first set and the second set.
Speicheranordnung nach Anspruch 1, wobei die Speicherplätze durch Kreuzschienenübergänge vom FET-Typ zwischen der ersten Gruppe und der zweiten Gruppe definiert sind.
The memory array of claim 17 wherein said second connection line (58,86) includes an electrode material taken from the group of electrode materials consisting of Al, Cu, Pt, Ir and Au.
Speicheranordnung nach Anspruch 17, wobei die zweite Verbindungsleitung (58, 86) ein Elektrodenmaterial umfasst, das aus der Gruppe der Elektrodenmaterialien bestehend aus Al, Cu, Pt, Ir und Au gewählt ist.
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