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Process for manufacturing a memory device having selector transistors for storage elements and memory device fabricated thereby
Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Speichereinrichtung mit Auswahltransistoren für Speicherelemente sowie entsprechend hergestellte Speichereinrichtung
The cell switching apparatus of claim 1, wherein the buffer memory includes a memory device having a plurality of access ports.
Zellenvermittlungsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Pufferspeicher eine Speichereinrichtung mit einer Vielzahl von Zugriffsanschlüssen enthält.
Electronic non-volatile memory device having a "code NAND" structure and being monolithically integrated on a semiconductor substrate
Electronische nichtflüchtige Speicheranordnung mit "code NAND" Struktur und monolithisch integriert auf einem Halbleitersubstrat
A semiconductor memory according to any preceding claim, further characterised by being adapted for a dynamic memory device having a Vcc/2 precharge system.
Halbleiterspeicher nach einem der vorangegangenen Ansprüche, ferner dadurch gekennzeichnet, daß er für eine dynamische Speichereinrichtung mit einem Vcc/2-Voraufladungssystem geeignet ist.
Magnetic memory device having XP Cell and STR Cell in one Chip
Magnetische Speicheranordnung mit XP-Zelle and STR-Zelle in einem Chip
Semiconductor memory device having capacitor through which data read/write is carried out.
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