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memory device having a memory
Vertaling van "memory device having a memory" in Duits
Halbleiterspeicheranordnung mit einer Speicherzelle
Semiconductor memory device having a memory cell capacitor and a fabrication process thereof.
Halbleiterspeicheranordnung mit einer kapazitiven Speicherzelle und dessen Herstellungsverfahren.
A semiconductor memory device having a memory matrix area and a plurality of peripheral circuits.
Halbleiterspeichervorrichtung mit einer Speichermatrixfläche und mehreren Randschaltungen.
A semiconductor memory device having a memory cell according to any of the preceding claims, wherein said second conductive layer is of doped polysilicon and has a curved surface having a gradually decreasing thickness with height in cross section.
Halbleiterspeicheranordnung mit einer Speicherzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher die genannte zweite leitfähige Schicht aus dotiertem Polysilizium besteht und eine gekrümmte Fläche aufweist, deren Dicke mit der Höhe im Querschnitt allmählich abnimmt.
A semiconductor memory device having a memory cell according to any of the preceding claims, wherein said semiconductor pillar structure is arranged in the matrix array having a gap between the pillars in the first direction greater than that in the second direction.
Halbleiterspeicheranordnung mit einer Speicherzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher die genannte Halbleiterpfeilerstruktur im Matrix-Array angeordnet ist, das einen Spalt zwischen den Pfeilern in der ersten Richtung aufweist, der größer ist als jener in der zweiten Richtung.
A method of manufacturing a semiconductor memory device having a memory cell according to any of claims 9 to 12, wherein the material of the first conductive layer filling the trench in said step (d) is doped polysilicon.
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterspeicheranordnung mit einer Speicherzelle nach einem der Ansprüche 9 bis 12, bei welchem das Material der ersten leitfähigen Schicht, das den Graben im genannten Schritt (d) füllt, dotiertes Polysilizium ist.
A semiconductor memory device having a memory cell according to claim 2, wherein the impurity concentration of the lower second semiconductor layer is about a tenth of that of the upper second semiconductor layer.
Halbleiterspeicheranordnung mit einer Speicherzelle nach Anspruch 2, bei welcher die Verunreinigungskonzentration der unteren zweiten Halbleiterschicht etwa ein Zehntel jener der oberen zweiten Halbleiterschicht beträgt.
A semiconductor memory device having a memory cell according to claim 1, wherein said second semiconductor layer of the second conductivity type comprises two layers, a lower second semiconductor layer having a low impurity concentration and an upper second semiconductor layer having a high impurity concentration.
Halbleiterspeicheranordnung mit einer Speicherzelle nach Anspruch 1, bei welcher die genannte zweite Halbleiterschicht vom zweiten Leitfähigkeitstyp zwei Schichten, eine untere zweite Halbleiterschicht mit einer niedrigen Verunreinigungskonzentration und eine obere zweite Halbleiterschicht mit einer hohen Verunreinigungskonzentration, umfaßt.
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