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multi-bit memory cell
Vertaling van "multi-bit memory cell" in Duits
Mehrbit-Speicherzelle
MULTI-BIT-SPEICHERZELLE
The data sensing method of a multi-bit memory cell according to claim 8, wherein the third step repeats m-1 times.
Datenleseverfahren für eine Mehrbit-Speicherzelle nach Anspruch 8, bei dem der dritte Schritt m-1 mal wiederholt wird.
According to still further embodiments of the present invention, a store for an integrated circuit, a substrate for an integrated circuit and a multi-bit memory cell comprises on the substrate for an integrated circuit.
Gemäß noch weiteren Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann ein Speicher für eine integrierte Schaltung ein Substrat für eine integrierte Schaltung und eine Mehrbit-Speicherzelle an dem Substrat für eine integrierte Schaltung umfassen.
The data sensing apparatus of a multi-bit memory cell according to claim 2, wherein the latch comprises first and second flip-flops for outputting an input signal from the clock signal controller by latching it.
Datenlesevorrichtung einer Mehrbit-Speicherzelle nach Anspruch 2, bei der die Latchstufe ein erstes und ein zweites Flipflop aufweist, um ein Eingangssignal von der Taktsignal-Steuerungseinrichtung durch Zwischenspeichern desselben auszugeben.
In particular, the multi-bit memory cell includes a first adiabatic-switching memory element having a first anisotropy axis, belonging to the same, and a second adiabatic-switching memory element having a second anisotropy axis, which belongs to the same.
Insbesondere umfasst die Mehrbit-Speicherzelle ein erstes adiabatisch schaltendes Speicherelement mit einer ersten Anisotropieachse, die zu demselben gehört, und ein zweites adiabatisch schaltendes Speicherelement mit einer zweiten Anisotropieachse, die zu demselben gehört.
For example, can be programmed magnet resistive states of a multi-bit memory cell according to a spin-torque/ pulse-transfer phenomenon which requires much higher currents, as may be necessary to program the resistance states of the memory cell.
Zum Beispiel können magnetwiderstandsbehaftete Zustände einer Mehrbit-Speicherzelle gemäß einem Spin-Drehmoment/Impuls-Transferphänomen programmiert werden, das deutlich höhere Ströme erfordert, als erforderlich sein können, um Widerstandszustände der Speicherzelle zu programmieren.
4A is a perspective view of elements of a multi-bit memory cell according to still other embodiments of the present invention.
4A 4A ist eine perspektivische Ansicht von Elementen einer Mehrbit-Speicherzelle gemäß noch weiteren Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung.
Moreover, the multi-bit memory cell may be configured to store a first bit of data by changing a first characteristic of the multi-bit memory cell.
Außerdem kann die Mehrbit-Speicherzelle konfiguriert sein, um ein erstes Bit von Daten durch Ändern einer ersten Charakteristik der Mehrbit-Speicherzelle zu speichern.
The multi-bit memory cell can be further configured to store a second bit of data by changing a second characteristic of the multi-bit memory cell, and the first and the second characteristic may be different.
Die Mehrbit-Speicherzelle kann ferner konfiguriert sein, um ein zweites Bit von Daten durch Ändern einer zweiten Charakteristik der Mehrbit-Speicherzelle zu speichern, und die erste und die zweite Charakteristik können unterschiedlich sein.
Memory apparatus including programmable non-volatile multi-bit memory cell, and apparatus and method for demarcating memory states of the cell
Speichervorrichtung mit programmierbarer nichtflüchtiger Multibitspeicherzelle und Vorrichtung und Verfahren zum Abgrenzen von Speicherzuständen der Zelle
METHOD FOR PRODUCING A MULTI-BIT MEMORY CELL
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MULTI-BIT-SPEICHERZELLE
MEMORY APPARATUS INCLUDING PROGRAMMABLE NON-VOLATILE MULTI-BIT MEMORY CELL, AND APPARATUS AND METHOD FOR DEMARCATING MEMORY STATES OF THE CELL
SPEICHERVORRICHTUNG MIT PROGRAMMIERBARER NICHT-FLÜCHTIGER MULTI-BIT-SPEICHERZELLE SOWIE VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR SPEICHERZUSTANDSABGRENZUNG DER ZELLE
The controller may be further configured to apply one of a plurality of different electrical signals through the multi-bit memory cell to change the second characteristic of the multi-bit memory cell thereby programming the second bit to a second state.
Die Steuerung kann ferner konfiguriert sein, um eines von einer Mehrzahl von unterschiedlichen elektrischen Signalen durch die Mehrbit-Speicherzelle anzulegen, um die zweite Charakteristik der Mehrbit-Speicherzelle zu ändern und dadurch das zweite Bit zu einem zweiten Zustand zu programmieren.
The controller may be configured to apply one of a plurality of different magnetic fields to the multi-bit memory cell in order to modify the first characteristic of the multi-bit memory cell and thereby to program the first bit to a first state.
Die Steuerung kann konfiguriert sein, um eines von einer Mehrzahl von unterschiedlichen Magnetfeldern an die Mehrbit-Speicherzelle anzulegen, um die erste Charakteristik der Mehrbit-Speicherzelle zu ändern und dadurch das erste Bit zu einem ersten Zustand zu programmieren.
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