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n-type material
Vertaling van "n-type material" in Duits
n-Typ-Material
n-leitendes Material
The device of claim 1, wherein the second layer of doped n-type material (11) provides an electrical path to an excluding or extracting contact (6).
Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die zweite Schicht aus dotiertem n-Typ-Material (11) einen elektrischen Pfad zu einem Ausschluss- oder Extraktionskontakt (6) bildet.
The electronically programmable memory device of claim 2 wherein vertical channel under said floating gate is of N-Type material, lightly doped in the range of 1E17 to 1E19 per cm3.
Elektronisch programmierbare Speichervorrichtung nach Anspruch 2, worin der vertikale Kanal unter dem besagten Floating Gate aus N-Typ-Material besteht, das im Bereich von 1E17 bis 1E19 pro cm 3 leicht dotiert ist.
An integrated circuit as claimed in Claim 6, wherein said N-well 112 includes an initial N-type diffusion, said N-type material 122 comprising an N+ diffusion partially overlapping said initial N-type diffusion and extending to the side edge of said gate 124.
Integrierter Schaltkreis nach Anspruch 6, wobei der N-Graben (112) eine N-Typ-Anfangsdiffusion aufweist, das N-Typ-Material (122) eine N+-Diffusion aufweist, die die N-Typ-Anfangsdiffusion teilweise überlappt und sich zur Seitenkante des Gate (124) erstreckt.
The same happens to the mobile electrons in the n-type material.
Das gleiche gilt für die beweglichen Elektronen im n-Material.
Semiconductor device with a layer of transparent n-type material and use of such devices.
Halbleiterbauelement, das eine Schicht aus transparentem, n-leitenden Material aufweist, und Verwendung derartiger Bauelemente.
At a p/n junction, between two different semiconductor materials, the electrons are diffused in the n-type material and the positive holes are scattered in the p-type material.
Bei einem p/n-Übergang zwischen zwei verschiedenen Halbleitermaterialien sammeln sich die Elektronen am n-leitenden Material, während im p-leitenden Material verstreut positive Löcher auftreten.
The method of claim 1 wherein each of said regions has associated with it at least one junction between p-type and n-type material.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei jeder der Bereiche zu ihm zugeordnet mindestens einen Übergang zwischen einem Material eines p-Typs und eines n-Typs besitzt.
A filter as claimed in claim 4, wherein said first semiconductor is an n-type material and said third semiconductor is a p-type material.
Filter nach Anspruch 4, wobei der erste Halbleiter ein n-leitendes Material und der dritte Halbleiter ein p-leitendes Material ist.
A charge amplifier circuit according to claim 5, wherein the layer (11) is n-type material and the injector region (17) is heavily doped p+ type material.
Ladungsverstärkerschaltung nach Anspruch 5, wobei die Schicht (11) aus Material des n-Typs und der Injektorbereich (17) aus stark dotiertem Material des p+-Typs besteht.
The device of claim 1 wherein said device comprises a laser diode (14) and the first and second layers doped of n-type material (5; 11) provide optical confinement within the active layer (4).
Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die Vorrichtung eine Laserdiode (14) umfasst und die erste und die zweite Schicht, die vom n-Typ-Material (5; 11) dotiert sind, eine optische Begrenzung innerhalb der aktiven Schicht (4) darstellen.
A solar cell according to claim 17, wherein said bulk layer (10) is formed of n-type material, and said front and back surfaces (20) are initially doped n +.
Solarzelle nach Anspruch 17, wobei die massive Schicht (10) aus n-artigem Material gebildet ist und die Front- und die Rückfläche (20) anfänglich n + -dotiert sind.
A method as claimed claim 4 wherein said step of forming said layer of selectively etchable material comprises growing a silicon layer of n-type material thereon.
Verfahren nach Anspruch 4, worin der genannte Schritt des Ausbildens der genannten Schicht selektiv ätzbaren Materials, den Aufbau einer Siliziumschicht eines "n"-Materials beinhaltet, um hierauf eine Siliziumschicht einem "n"-Materials aufzubauen.
The FZ technique allows the rather simple in-situ doping from the gas phase. In such a way, very uniform axial dopant distribution profiles can be achieved, which is an important aspect with respect to the growth of phosphorous doped n-type material.
Durch die einfache Möglichkeit der Dotierung aus der Gasphase, können sehr homogene Dotierstoffverläufe eingestellt werden. Dies ist ein interessanter und wichtiger Aspekt im Hinblick auf die Kristallisation von n-Typ Silizium. Vertical Gradient Freeze
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Synoniemen voor n-type material in het Engels
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