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n-type semiconductor layer
Vertaling van "n-type semiconductor layer" in Duits
n-Halbleiterschicht
n-Typ-Halbleiterschicht
An array according to claim 19, wherein said resistor layer comprises a p-type or n-type semiconductor layer.
Array nach Anspruch 19, bei dem die Widerstandsschicht eine p- oder eine n-Halbleiterschicht ist.
An electron emitting device according to claim 1 comprising a pin structure in which the electron supply layer includes an n-type semiconductor layer and an i-type semiconductor layer, and the diamond layer includes a p-type diamond layer, a forward bias being applied to the pin structure.
Elektronenemittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, die eine PIN-Struktur aufweist, in der die Elektronenversorgungsschicht eine n-Halbleiterschicht und eine i-Halbleiterschicht umfaßt und die Diamantschicht eine p-Diamantschicht umfaßt, wobei eine Durchlaßvorspannung an die PIN-Struktur angelegt ist.
The photoelectric transducer according to claim 1, wherein the p-type semiconductor layer and/or the n-type semiconductor layer comprise a microcrystalline semiconductor.
Fotoelektrischer Wandler nach Anspruch 1, wobei die Halbleiterschicht vom p-Typ und/oder die Halbleiterschicht vom n-Typ einen mikrokristallinen Halbleiter umfasst.
A pin junction photovoltaic element as claimed in claim 1 wherein both said p-type semiconductor layer and said n-type semiconductor layer are of respective semiconductor film each as specified in claim 1.
Photovoltaisches Element mit pin-Übergang nach Anspruch 1, bei dem sowohl die p-Typ Halbleiterschicht als auch die n-Typ Halbleiterschicht aus dem jeweiligen Halbleiterfilm, jeweils wie in Anspruch 1 angegeben, sind.
In this embodiment, a pin photodiode including a p-type semiconductor layer 271, an i-type semiconductor layer 273, and an n-type semiconductor layer 275 is used as the light-receiving element.
Bei dieser Ausführungsform wird als Licht empfangendes Element eine PIN-Photodiode verwendet, die eine p-Typ-Halbleiterschicht 271, eine i-Typ-Halbleiterschicht 273 und eine n-Typ-Halbleiterschicht 275 beinhaltet.
An optical device according to claim 1, further comprising p-type semiconductor layer (32', 62') and an n-type semiconductor layer (32, 62) for sandwiching said quantum well layers.
Optische Vorrichtung nach Anspruch 1, ferner umfassend eine p-Typ Halbleiterschicht (32', 62') und eine n-Typ Halbleiterschicht (32, 62) zum sandwichartigen Einschließen der Quantentopfschichten.
A light detection element as defined in claim 10, wherein said adjacent photo-diodes have reverse lamination order of p-i-n type semiconductor layers (103,102, 104,202, 203) and one (104) of p- or n-type semiconductor layer is commonly used.
Ein Lichtdetektionselement wie in Anspruch 10 definiert, worin die benachbarten Photodioden umgekehrte Schichtreihenfolge der Halbleiterschichten vom p-i-n-Typ (103,102, 104,202, 203) besitzen und eine (104) Halbleiterschicht vom p- oder n-Typ gemeinsam genutzt wird.
The photoelectric transducer according to claim 1, wherein between the i-type semiconductor layer and at least one of said p-type semiconductor layer and n-type semiconductor layer there is provided an amorphous semiconductor layer.
Fotoelektrischer Wandler nach Anspruch 1, wobei zwischen der Halbleiterschicht vom i-Typ und wenigstens einer der Halbleiterschicht vom p-Typ und der Halbleiterschicht vom n-Typ eine amorphe Halbleiterschicht vorgesehen ist.
A light emitting device as in claim 1, wherein said n-type semiconductor layer and said p-type semiconductor layer comprise group III nitride semiconducting materials.
Licht emittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die N-Halbleiter-Schicht (3) und die P-Halbleiter-Schicht (5) Gruppe III-Nitrid-Halbleitermaterialien umfassen.
The method according to claim 5, further comprising the step of dry-etching a part of the n-type semiconductor layer at the same time of dry-etching the second layer.
Verfahren nach Anspruch 5, das ferner den Schritt des Trockenätzens eines Teils der n-Typ-Halbleiterschicht gleichzeitig mit dem Trockenätzen der zweiten Schicht umfasst.
In the above structure, it is preferable that a third layer containing a conductive material be provided between the P-type semiconductor layer and the N-type semiconductor layer.
Es ist vorzuziehen, dass die vorstehende Licht emittierende Vorrichtung ferner ein Paar von Schutzschichten beinhaltet und dass die Schutzschicht eine höhere Flexibilität aufweist als das Trägerteil.
Pin junction photovoltaic element with P or N-type semiconductor layer comprising non-single crystal material containing Zn, Se, Te, H in an amount of 1 to 4 atomic % and a dopant and I-type semiconductor layer comprising non-single crystal SI(H, F) material.
Photovoltaisches PIN-Bauelement mit einer P- oder N-Halbleiterschicht aus nicht einkristallinem Stoff, welches Zn, Se, Te, H in einer Menge von 1 bis 4 Atom % und ein Dotierelement enthält und eine I-Halbleiterschicht aus nicht einkristallinem SI(H, F).
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