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of AlGaAs
Vertaling van "of AlGaAs" in Duits
aus AlGaAs
The long-wavelength photonic device of claim 9, in which at least one of the layers of AlGaAs includes an annular oxide region providing a current confinement structure.
Photonik-Bauelement für eine lange Wellenlänge nach Anspruch 9, wobei zumindest eine der Schichten aus AlGaAs eine ringförmige Oxidregion enthält, die eine Stromeinschlussstruktur bereitstellt.
The long-wavelength photonic device of one of the preceding claims, additionally comprising mirror layers (330,332), at least alternate ones of the mirror layers (330,332) being layers of AlGaAs.
Photonik-Bauelement für eine lange Wellenlänge nach einem der vorangehenden Ansprüche, das zusätzlich Spiegelschichten (330,332) aufweist, wobei zumindest alternierende der Spiegelschichten (330,332) Schichten aus AlGaAs sind.
A microcavity LED with photon recycling as claimed in claim 2 further characterized in that the thirty pairs of layers each include layers of AlGaAs.
Mikroresonator-LED mit Photonenrecycling nach Anspruch 2, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die dreißig Schicht-Paare jeweils Schichten aus AlGaAs enthalten.
An amplifier according to claim 23, wherein said well layers and said active portion of said waveguide layer are formed of GaAs, and said barrier layers are formed of AlGaAs.
Verstärker nach Anspruch 23, bei dem die Topfschichten und der aktive Bereich der Wellenleiterschicht aus GaAs gebildet sind und die Barrierenschichten aus AlGaAs gebildet sind.
A method as claimed in any one of the preceding Claims, characterized in that between the substrate (1) and the lower cladding layer (2) a buffer layer (11) of AlGaAs is provided.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß zwischen dem Substrat (1) und der unteren Abdeckschicht (2) eine Pufferschicht (11) aus AlGaAs vorgesehen wird.
A method for producing a semiconductor laser device according to claim 1, wherein materials for the layered structure and the window layers are selected from the group consisting of AlGaAs, InAlGaP, and InGaAsP.
Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterlasers nach Anspruch 1, bei dem Materialien für die Schichtstruktur und die Fensterschichten aus der aus AlGaAs, InAlGaP und InGaAsP bestehenden Gruppe ausgewählt sind.
A semiconductor laser according to claim 5, wherein the material used to form said barrier layer is selected from the group consisting of AlGaAs, GaAsP, AlGaAsP, GaInP and AlGaInP.
Halbleiterlaser nach Anspruch 5, wobei das Material, das zur Formung der Barriereschicht verwendet wird, gewählt ist aus der Gruppe bestehend aus AlGaAs, GaAsP, AlGaAsP, GaInP und AlGaInP.
A method according to claim 32, wherein the Distributed Bragg Reflector minors include alternating layers of AlGaAs and AlAs.
Verfahren nach Anspruch 32, wobei die Spiegel vom Typ "Distributed Bragg Reflector" abwechselnde Schichten aus AlGaAs und AlAs aufweisen.
A field-effect semiconductor device according to any one of the claims 1 to 3, characterized in that the semiconductor layers (45a, 45b, 45c, 65a, 65b, 65c) forming the barrier structure (45, 65) are each composed of AlGaAs.
Feldeffekt-Halbleitergerät nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterschichten (45a, 45b, 45c, 65a, 65b, 65c), die die Sperrschichtstruktur (45, 65) bilden, jede aus AlGaAs bestehen.
A method according to claim 3, wherein said second clad layer is of AlGaAs and the Al content is gradually reduced from a lower portion toward an upper portion of said second clad layer.
Verfahren nach Anspruch 3, bei dem die genannte zweite Auskleidungsschicht aus AlGaAs besteht und der Al-Gehalt graduierlich von einem unteren Abschnitt zu einem oberen Abschnitt der genannten zweiten Auskleidungsschicht hin reduziert wird.
A semiconductor device according to any preceding claim, wherein the first, third, fifth and seventh semiconductor layers are of GaAs and the second, fourth, sixth and eighth semiconductor layers are of AlGaAs.
Halbleitervorrichtungen nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die ersten, dritten, fünften und siebten Halbleiterschichten aus GaAs, und die zweiten, vierten, sechsten und achten Halbleiterschichten aus AlGaAs hergestellt sind.
The method of any preceding claim, wherein said opaque substrate (200) is composed of GaAs, and the layers (220) and transparent substrate (210) composed of AlGaAs.
Das Verfahren gemäß einem beliebigen vorhergehenden Anspruch, bei dem das lichtundurchlässige Substrat (200) aus GaAs besteht und die Schichten (220) und das transparente Substrat (210) aus AlGaAs bestehen.
A semiconductor laser device as claimed in claim 1, wherein said quantum well active region is a multi-layered quantum well which is composed of alternate layers consisting of AlGaAs quantum wells and AlGaAs barrier layers.
Halbleiterlaser-Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der aktive Quantum-Well-Bereich ein mehrfach geschichteter Quantum-Well ist, der aus abwechselnden Schichten bestehend aus AlGaAs-Quantum-Wells und AlGaAs-Sperrschichten zusammengesetzt ist.
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Synoniemen voor of AlGaAs in het Engels
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