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of said buffer layer
Vertaling van "of said buffer layer" in Duits
der genannten Pufferschicht
der Pufferschicht
A method according to claim 24 or 25 wherein said steps of epitaxially growing alternating layers is repeated at least ten times, and that the total thickness of said buffer layer (44) is less than 0.3 micrometers.
Ein Verfahren gemäß Anspruch 24 oder 25, in dem die genannten Schritte des epitaktischen Aufwachsens von abwechselnden Schichten mindestens zehnmal wiederholt werden, und daß die Gesamtdicke der genannten Pufferschicht (44) weniger als 0,3 Mikrometer ist.
A voltage sensor as defined in Claim 10 further comprising a conducting layer (36) on the side of said buffer layer (34) remote from said medium (16).
Spannungssensor nach Anspruch 10, ferner mit einer elektrisch leitfähigen Schicht (36) auf der dem Medium (16) abgewandten Seite der genannten Pufferschicht (34).
The substrate set forth in claim 1 wherein the lattice parameters of said buffer layer are similar to those of said thin film layer of semiconductor.
Substrat nach Anspruch 1, wobei die Gitterparameter der Pufferschicht denen der Dünnfilmschicht des Halbleiters ähnlich sind.
A buried type semiconductor laser device according to claim 12, wherein the upper face of said buffer layer positioned on both sides of said mesa is flat.
Halbleiterlaservorrichtung des eingebetteten Typs gemäß Anspruch 12, bei welcher die Oberseite der Pufferschicht, die auf beiden Seiten der Mesa positioniert ist, flach ist.
The magnetoresistance effect element according to claim 1, wherein each of said buffer layer, said magnetic thin layers and said non-magnetic layer has a thickness of not larger than 200 Å.
Magnetowiderstandseffekt-Element nach Anspruch 1, wobei jede Pufferschicht, die dünnen magnetischen Schichten und die nicht-magnetische Schicht eine Dicke von nicht mehr als 200 Å haben.
A method according to claim 2, wherein said step of changing the molar fraction includes the step of reducing the molar fraction of arsenic as the thickness of said buffer layer increases, and increasing the molar fraction of said antimony.
Verfahren nach Anspruch 2, worin der Schritt des Änderns des Molenbruchs den Schritt des Verringerns des Molenbruchs von Arsen mit zunehmender Dicke der Pufferschicht und der Erhöhung des Molenbruchs von Antimon enthält.
An electrical device as in claim 9 wherein said leakage current of said buffer layer material (25, 27) is at least a hundred times lower than the leakage current of said first dielectric material (26).
Elektrische Vorrichtung nach Anspruch 9, worin der Leckstrom des Pufferschicht-Materials (25, 27) wenigstens hundertmal niedriger ist als der Leckstrom des ersten dielektrischen Materials (26).
The method of claim 1 in which removing said structure (12, 13, 14) comprises plasma etching of said buffer layer (12).
Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem das Entfernen der Anordnung (12, 13, 14) das Plasmaätzen der Pufferschicht (12) umfaßt.
The process set forth in any one of claims 8 to 16, wherein deposition operations of said buffer layer of Ln 2 O 3 and said under-layer and said thin film of oxide superconductor are carried out in a same vacuum chamber successively.
Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 16, bei dem die Schritte des Abscheidens der Pufferschicht aus Ln 2 O 3 , der Unterschicht und der Dünnschicht aus supraleitendem Oxid in der gleichen Vakuumkammer nacheinander durchgeführt werden.
A method according to claim 1, characterized in that said semiconductor layer has the same composition of said buffer layer and is represented by formula Ga X Al 1-X N (0.5 ≦ X ≦ 1).
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschicht die gleiche Zusammensetzung wie die Pufferschicht aufweist und durch die Formel Ga X Al 1-X N (0.5 ≦ X ≦ 1) dargestellt ist.
The method in accordance with any one of claims 1 to 3, wherein said buffer layer consists of Al, In, and Sb, and wherein said Al has a proportion decreasing with increasing thickness of said buffer layer.
Das Verfahren gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Pufferschicht aus Al, In und Sb besteht, und wobei das Al einen Anteil aufweist, der mit zunehmender Dicke der Pufferschicht abnimmt.
The SiC wafer according to Claim 1, wherein the thickness of said buffer layer is at least 0.3 µm but no more than 15 µm.
SiC-Wafer gemäß Anspruch 1, worin die Dicke der Pufferschicht mindestens 0,3 µm aber nicht mehr als 15 µm beträgt.
An optical control device, according to claim 2, wherein: the thickness of said buffer layer (3) between said electrodes (4a,4b) is less than that of the other part of said buffer layer (3).
Optische Steuervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Stärke der Pufferschicht (3) zwischen den Elektroden (4a, 4b) geringer als die Stärke des anderen Abschnitts der Pufferschicht (3) ist.
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