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of said cladding layer
Vertaling van "of said cladding layer" in Duits
der Mantelschicht
der Hüllschicht
A method as defined in claim 17 wherein said etching step is terminated leaving a part of said cladding layer such that the active layer underlying said cladding layer will not be exposed.
Verfahren nach Anspruch 17, bei dem das Ätzen beendet wird unter Zurücklassung eines Teils der Mantelschicht, so daß die unterhalb der Mantelschicht liegende Aktivschicht nicht bloßgelegt wird.
A silica optical waveguide as claimed in claim 1, characterised in that said member (4a, 4b, 14, 14a, 14b) is composed of a material having a thermal expansion coefficient different from that of said cladding layer (3, 26,123).
Optischer Quarzglaswellenleiter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Element (4a, 4b, 14, 14a, 14b) aus einem Material besteht, das einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten hat, der sich von dem der Deckschicht (3, 26,123) unterscheidet.
A waveguide type optical phase plate as claimed in claim 23, characterised in that a depth of said stress relief groove (141,142) is equal to the thickness of said cladding layer (123).
Optische Phasenplatte der Wellenleiterart nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß die Tiefe der Belastungsabbaunut (141,142) gleich der Dicke der Deckschicht (123) ist.
A method according to claim 1, wherein said thermal hysteresis produced region is a portion of said cladding layer (7, 8) and/or of said core portion.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der die thermische Hysterese erzeugende Bereich ein Abschnitt der Mantelschicht (7, 8) und/oder des Seelenabschnitts ist.
The semiconductor laser device as set forth in claim 1, wherein a side face of said contact layer exposed to said exposed portion is situated inside an edge of a top surface of said cladding layer (9, 48) exposed to said exposed portion.
Halbleiterlaserbauelement nach Anspruch 1, bei dem die Seite der Kontaktschicht, die zu dem freiliegenden Teil hin exponiert ist, sich im Inneren eines Randes einer Oberseite der Mantelschicht (9, 48) befindet, der zu dem freiliegenden Bereich exponiert ist.
A semiconductor laser device as claimed in claim 1, wherein the ratio of the aluminium mole fraction of said burying layer (20) to the aluminium mole fraction of said cladding layer (16) is approximately 1.6.
Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 1, in der das Verhältnis des Aluminium-Molanteils der Einbettungsschicht (20) zum Aluminium-Molanteil der Überzugsschicht (16) etwa 1,6 beträgt.
The semiconductor laser device according to claim 4, wherein the Al composition ratio z of said current blocking layer is higher than the Al composition ratio y of said cladding layer of the second conductivity type.
Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 4, worin der Al-Zusammensetzungsanteil z der Stromblockierungsschicht höher als der Al-Zusammensetzungsanteil y der Mantelschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps ist.
A method of making the tunable twin guide semiconductor laser according to any preceding claim, further comprising a step of growing epitaxially a cap layer (30, 30A, 79) on a surface of said cladding layer (29, 29A, 78).
Verfahren zur Herstellung des abstimmbaren Twin-Guide-Halbleiterlasers nach einem der vorangehenden Ansprüche, das weiter einen Schritt zum epitaktischen Aufwachsen einer Deckschicht (30, 30A, 79) auf einer Oberfläche der Hüllschicht (29, 29A, 78) aufweist.
A laser diode as claimed in claim 6, wherein said inclined surface region (63A, 64A) of said cladding layer is formed of a (411)A surface.
Laserdiode nach Anspruch 6, bei der die geneigte Oberflächenregion (63A, 64A) der Mantelschicht aus einer (411)A-Oberfläche gebildet ist.
The II/VI-compound semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein a nitrogen impurity doping concentration of said cladding layer (6) is decreased stepwise toward said active layer (4).
Licht emittierendes Bauteil aus einem II/VI-Verbindungshalbleiter nach Anspruch 1, bei dem die durch Stickstoff erzielte Fremdstoff-Dotierungskonzentration der Mantelschicht (6) zur aktiven Schicht (4) hin schrittweise abnimmt.
A method according to claim 1, characterized by the fact that the thickness of said substrate layer (16) lies between one half and one hundred twenty-five times the thickness of said cladding layer (8).
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Substratschicht (16) zwischen 0,5 mal und 125 mal die Dicke der Hüllschicht (8) beträgt.
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