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des Referenzspeichers
der Referenzspeicherzelle
The method of claim 3, characterized in that the chosen content of the reference memory is the received image or an image corresponding to the received image at certain time intervals.
Das Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß der ausgewählte Inhalt des Referenzspeichers das empfangene Bild ist oder ein Bild entsprechend zu einem in bestimmten Zeitintervallen empfangenen Bildes.
A non-volatile memory as in claim 5, wherein said reference current source is provided by the source-drain current of the reference memory cell whose floating gate is stored with a predetermined charge.
Nicht-flüchtiger Speicher nach Anspruch 5, bei dem die Referenzstromquelle von dem Source-Drain-Strom der Referenzspeicherzelle bereitgestellt wird, auf deren schwimmendem Gate eine vorbestimmte Ladung gespeichert ist.
The method of claim 1, 2 or 3, characterized in that the chosen content of the reference memory is the image seen by the camera either at the moment when the camera is switched on or at any moment ordered by the cameraman.
Das Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet , daß der ausgewählte Inhalt des Referenzspeichers dem Bild entspricht, daß die Kamera entweder in dem Moment sieht, wenn sie eingeschaltet wird, oder einem vom Kameramann festgelegten Moment.
The memory device according to claim 9, wheiren the temporal relation is defined by the modification order of the current-conduction states of the array memory cell (3) and of the reference memory cells(7).
Speichervorrichtung nach Anspruch 9, wobei die zeitliche Beziehung durch den Modifikationsablauf der Stromleitzustände der Speicherzellenanordnung (3) und der Referenzspeicherzellen (7) bestimmt ist.
Method according to claim 1, characterized in that said first step and second step are repeated until the threshold voltage of the reference memory cell (RMC) takes a predetermined value (V TR).
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Schritt und der zweite Schritt wiederholt werden, bis die Schwellspannung der Referenzspeicherzelle (RMC) einen vorbestimmten Wert (V TR) annimmt.
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