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p-type base layer
Vertaling van "p-type base layer" in Duits
p-Basisschicht
p-Typ-Basisschicht
Due to the spreading resistance of the p-type base layer of a gate turn-off thyristor, the main current between anode and cathode during switch-off is carried for a relatively long time in a narrow zone beneath the emitter.
Bedingt durch den Bahnwiderstand der p-Basisschicht eines abschaltbaren Thyristors wird der Hauptstrom zwischen Anode und Kathode während des Abschaltens in einer relativ langen Zeit in einer schmalen Zone unter dem Emitter geführt.
This procedure avoids an additional thickness loss in the p-type base layer (10) so that a GTO thyristor having improved electrical properties is produced.
Durch dieses Vorgehen wird ein zusätzlicher Dickenverlust bei der p-Basisschicht (10) vermieden, sodass ein GTO mit verbes- serten elektrischen Eigenschaften entsteht.
Gate turn-off thyristor according to Claim 1, characterised in that the lightly doped zone (9) has a thickness of 2-4 µm in the area where it separates the p-type base layer (7) from the highly doped zone (10).
Gate-Ausschaltthyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die niedrigdotierte Zone (9) im Bereich, wo sie die p-Basisschicht (7) von der hochdotierten Zone (10) trennt, ein Dicke von 2-4 µm aufweist.
Gate turn-off thyristor according to Claim 3, characterised in that a) the central p-type base layer (4) is doped with boron, b) and the p-type base edge layer (5) is essentially doped with aluminium.
Gate-Turn-Off-Thyristor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass a) die zentrale p-Basisschicht (4) mit Bor, und b) die p-Basis-Randschicht (5) im wesentlichen mit Aluminium dotiert sind.
Gate turn-off thyristor according to Claim 2, characterised in that the thickness of the p-type base layer (7) is about 45 µm and that of the cathode layer (8) is about 10 µm.
Gate-Ausschaltthyristor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der p-Basisschicht (7) etwa 45 µm und diejenige der Kathodenschicht (8) etwa 10 µm beträgt.
A transistor according to any preceding claim, wherein the p-type base layer (14) is formed from epitaxial silicon carbide.
Transistor nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Basisschicht (14) vom p-Typ aus epitaktischem Siliziumkarbid gebildet wird.
A transistor according to claim 1, characterized in that said p-type base layer is divided into two sub-layers, a highly doped lower first base sub-layer (3) and a low doped upper second base sub-layer (4) on top thereof.
Transistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die p-leitende Basisschicht in zwei Teilschichten unterteilt ist, einer unteren, hochdotierten ersten Basis-Teilschicht (3) und einer oberen, niedrigdotierten zweiten Basis-Teilschicht (4), die auf der ersteren angeordnet ist.
A method according to Claim 3, characterized in that said second semiconductor substrate is a p-type silicon substrate (13) with a uniform impurity concentration constituting the remaining portion of said p-type base layer.
Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Halbleitersubstrat ein p-Typ-Halbleitersubstrat (13) mit gleichmäßiger Fremdatomkonzentration ist, welches den restlichen Abschnitt der p-Typ-Basisschicht bildet.
A method according to Claim 1, characterized in that said base layer is a p-type base layer.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Basisschicht eine p-Typ-Basisschicht ist.
The logic circuit of claim 1, wherein said Schottky diode is comprised of a silicide deposited on said p-type base layer.
Der Logikschaltkreis nach Anspruch 1, bei dem die Schottky-Diode aus einem Silicid besteht, aufgebracht auf der Basisschicht vom p-Typ.
A transistor according to claim 1, wherein the source contact is disposed at an upper surface of the p-type base layer (22) and spaced from the p-type region (30,31) by the p-type base layer (22).
Transistor nach Anspruch 1, bei dem der Source-Kontakt auf einer Oberseite der p-Typ-Basisschicht (22) angeordnet und durch die p-Typ-Basisschicht (22) von der p-Typ-Zone (30, 31) beabstandet ist.
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