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p-type diffused
Examples with "p-type diffused" and their translation in Duits
A biochemical reaction detection chip according to any preceding claim, wherein the p-type diffused layer is provided between said heater (5) and said temperature detector (6) where said substrate (1) is of n-type substrate.
Chip zur Erfassung biochemischer Reaktionen nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die eindiffundierte Schicht vom p-Typ zwischen dem Heizer (5) und dem Temperaturdetektor (6) vorgesehen ist, wo das Substrat (1) ein Substrat vom n-Typ ist.
A piezoresistive strain sensing device according to claim 1, wherein said p-type diffused resistors (22) and said n-type diffused resistors (23) are formed in the shape of rectangles, electrode terminals being provided on four sides of said each rectangle.
Piezoresistive Belastungsfühleranordnung nach Anspruch 1, wobei die p-Typ-diffundierten Widerstände (22) und die n-Typ-diffundierten Widerstände (23) in der Form von Rechtecken gebildet sind und Elektrodenanschlüsse an vier Seiten jedes Rechtecks vorgesehen sind.
Andere resultaten
A bipolar power transistor according to claim 1, characterized in that said heavily doped P type diffused region (4) contains acceptor impurities which are represented by atoms of boron.
Bipolarer Leistungstransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der stark dotierte, diffusionsbeschichtete P-Bereich (4) Akzeptorverunreinigungen enthält, welche von Boratomen gebildet werden.
In addition, X-FAB added new and enhanced N- and P-type double-diffused metal-oxide-semiconductor (DMOS) transistors with 45 percent lower on-resistance for multiple operating voltages up to 100V, lowering the silicon footprint by up to 40 percent and thus reducing die costs.
Hinzugefügt wurden außerdem neue und verbesserte N- und P-leitende DMOS-Transistoren mit 45 Prozent geringerem Einschaltwiderstand für verschiedene Betriebsspannungen bis zu 100V. Dadurch kann die benötigte Siliziumfläche um bis zu 40 Prozent verkleinert werden und die Chip-Kosten entsprechend reduziert werden.
The force transducer as defined in claim 4 or 5 wherein a p-type impurity is diffused into at least a surface portion of said strain gages (Ga1, Ga2, Gb1, Gb2) protruding from said surface of said silicon single crystal substrate (40).
Kraftwandler nach Anspruch 4 oder 5, bei dem ein Dotiermaterial des Leitungstyps p in mindestens einen Oberflächenabschnitt der Belastungsmeßfühler (Ga1, Ga2, Gb1, Gb2) diffundiert ist, der von der Oberfläche des aus einkristallinem Silizium bestehenden Substrats (40) vorsteht.
At a p/n junction, between two different semiconductor materials, the electrons are diffused in the n-type material and the positive holes are scattered in the p-type material.
Bei einem p/n-Übergang zwischen zwei verschiedenen Halbleitermaterialien sammeln sich die Elektronen am n-leitenden Material, während im p-leitenden Material verstreut positive Löcher auftreten.
The semiconductor device according to claim 1, characterized in that the diffused layer (5, 6, 7) is of a P-type.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Diffusionsschicht (5, 6. 7) P-leitend ist.
A method as claimed in Claim 1 or 2, characterized in that during the diffusion treatment zinc is diffused into a quaternary indium gallium arsenide phosphide layer or a ternary indium gallium arsenide layer located on a p-type indium phosphide layer.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß während der Diffusionsbehandlung Zink in eine quaternäre Indiumgalliumarsenidphosphidschicht oder eine auf einer p-Indiumphosphidschicht liegende ternäre Indiumgalliumarsenidschicht diffundiert wird.
A field emission cathode according to any of claims 1 to 5, wherein said p-type impurity is boron (B) and is diffused at a concentration of not less than 3 x 10 19 cm -3.
Feldemissionskatode nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei der die p-Störstelle Bor (B) ist und mit einer Konzentration von nicht weniger als 3 x 10 19 cm -3 diffundiert wird.
The thyristor according to claim l, characterized in that diffused Au or Pt are provided as lifetime killer sources in a p-type base region (2) and/or an n-type base region (3) of the thyristor.
Thyristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eindiffundiertes Au oder Pt als Lebensdauer-Verkürzungsmittel in einem p-Typ Basisbereich (2) und/oder einem n-Typ Basisbereich (3) des Thyristors vorgesehen sind.
Synoniemen voor p-type diffused in het Engels
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