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p-type semiconductor layer
Vertaling van "p-type semiconductor layer" in Duits
p-Typ-Halbleiterschicht
p-Typ Halbleiterschicht
p-Halbleiterschicht
p-leitende Halbleiterschicht
Halbleiterschicht vom p-Typ
p-leitenden Halbleiterschicht
p-dotierten Halbleiterschicht
A field effect transistor according to claim 1, further comprising means for applying voltage to said p-type semiconductor layer (120).
Feldeffekttransistor nach Anspruch 1, der weiterhin Mittel zum Anlegen einer Spannung an die p-Typ-Halbleiterschicht (120) umfaßt.
In this embodiment, a pin photodiode including a p-type semiconductor layer 271, an i-type semiconductor layer 273, and an n-type semiconductor layer 275 is used as the light-receiving element.
Bei dieser Ausführungsform wird als Licht empfangendes Element eine PIN-Photodiode verwendet, die eine p-Typ-Halbleiterschicht 271, eine i-Typ-Halbleiterschicht 273 und eine n-Typ-Halbleiterschicht 275 beinhaltet.
A semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the thickness of the p-type semiconductor layer (5) in said first area is no larger than 0.1 µm.
Lichtemittierende Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der p-Typ Halbleiterschicht (5) in dem ersten Bereich nicht größer als 0,1 µm ist.
A pin junction photovoltaic element as claimed in claim 1 wherein both said p-type semiconductor layer and said n-type semiconductor layer are of respective semiconductor film each as specified in claim 1.
Photovoltaisches Element mit pin-Übergang nach Anspruch 1, bei dem sowohl die p-Typ Halbleiterschicht als auch die n-Typ Halbleiterschicht aus dem jeweiligen Halbleiterfilm, jeweils wie in Anspruch 1 angegeben, sind.
A semiconductor heterojunction structure as claimed in any one of claims 1 to 6 in which said grading layer is entirely within said depleted p-type semiconductor layer (16).
Halbleiter-Heteroübergangsstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Staffelungsschicht vollständig innerhalb der verarmten p-Halbleiterschicht (16) liegt.
A II-VI group compound semiconductor device as claimed in any preceding claim, wherein the semiconductor layer is a p-type semiconductor layer.
Halbleiterbauteil aus einer II-VI-Verbindung nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die Halbleiterschicht eine p-Halbleiterschicht ist.
A transistor as claimed in one of the claims 2 to 5, characterized in that said p-type semiconductor layer of said injecting means is extended over said surface layer of the second semiconductor layer to cover the same as a surface passivation layer.
Transistor nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die p-Typ Halbleiterschicht des Injiziermittels über die Oberflächenschicht der zweiten Halbleiterschicht ausgedehnt ist, um dieselbe als eine Oberflächen-Passivierungsschicht abzudecken.
The photovoltaic element of claim 3, 4 or 5, wherein the p-type semiconductor layer is doped with 1x10³-5x10³ atomic ppm of dopant.
Photovoltaisches Element nach einem der Ansprüche 3, 4 und 5, wobei die p-Typ Halbleiterschicht mit 1 x 10³ bis 5 x 10³ Atom-ppm Dotiermittel dotiert ist.
An optical device according to claim 1, further comprising p-type semiconductor layer (32', 62') and an n-type semiconductor layer (32, 62) for sandwiching said quantum well layers.
Optische Vorrichtung nach Anspruch 1, ferner umfassend eine p-Typ Halbleiterschicht (32', 62') und eine n-Typ Halbleiterschicht (32, 62) zum sandwichartigen Einschließen der Quantentopfschichten.
The organic switching memory device according to claim 2, wherein the p-type semiconductor layer of said organic semiconductor diode (15) is provided on the side of said plurality of first electrode lines (12).
Organische Schaltspeichereinrichtung gemäß Anspruch 2, wobei die p-Typ-Halbleiterschicht der organischen Halbleiterdiode (15) auf der Seite der Mehrzahl der ersten Elektrodenlinien (12) vorgesehen ist.
The pin junction photovoltaic element according to claim 1, wherein said p-type dopant to be contained in said semiconductor film to constitute the p-type semiconductor layer is an element selected from the group consisting of Group IA elements and Group VA elements of the Periodic Table.
Photovoltaisches PIN-Bauelement nach Anspruch 1, wobei das P-Dotiermittel, das in der Halbleiterschicht enthalten ist, um die P-Halbleiterschicht zu bilden, ein Element ist, das ausgewählt wird unter den Elementen der Gruppe I A und V A des Periodensystems.
An active pixel sensor as in claim 5, wherein the P-type semiconductor layer comprises amorphous silicon.
Ein Aktivpixelsensor gemäß Anspruch 5, bei dem die P-Typ-Halbleiterschicht (48) amorphes Silizium aufweist.
In addition to lowering lowering the resistance of the p-type semiconductor layer, active treatments such as electron beam irradiation or annealing processes are performed.
Zudem können zur Herabsenkung des Widerstandes der p-dotierten Halbleiterschicht aktive Behandlungen wie die Bestrahlung mit Elektronenstrahlen oder ein Ausheilverfahren ausgeführt werden.
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