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pn-Übergang zwischen
The lateral voltage drop below the emitter (7) (source) is thereby kept very low, and the voltage across the pn junction between the emitter and the contact zone remains less than approximately 0.5 V.
Dadurch wird der laterale Spannungsabfall unter dem Emitter (7) (Source) sehr gering gehalten und die am pn-Übergang zwischen Emitter und Kontaktzone abfallende Spannung bleibt kleiner als etwa 0,5 V.
A device according to any preceding claim characterised in that the rectifying means is a pn junction between the luminescent region (32) and a second silicon device region (42) of opposite conductivity type.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Gleichrichtermittel ein pn-Übergang zwischen dem lumineszenten Bereich (32) und einem zweiten Siliciumvorrichtungsbereich (42) des entgegengesetzten Leitfähigkeitstypus ist.
Furthermore, it is arranged at least an undoped p-n interface between the emitter layer and base layer, over which a pn junction between the emitter and base layer is formed. ausgebildet.
Weiterhin ist zwischen Emitterschicht und Basisschicht zumindest eine undotierte pn-Zwischenschicht angeordnet, über welche sich ein pn-Übergang zwischen Emitter- und Basisschicht ausbildet.
The MOSFET of Claim 6 wherein a PN junction between said body region and said drain region in said MOSFET cells is located above an interface between said epitaxial layer and said substrate.
MOSFET nach Anspruch 6, bei dem der PN-Übergang zwischen dem Body-Bereich und dem Drain-Bereich in den MOSFET-Zellen oberhalb der Grenzfläche zwischen der epitaktischen Schicht und dem Substrat liegt.
The invention relates to a photodiode comprising a PN junction between the doping region (DG) created in the surface of a crystalline semiconductor substrate and a semiconductor layer (HS) deposited thereover.
Es wird eine Photodiode vorgeschlagen, bei der ein pn-Übergang zwischen dem in der Oberfläche eines kristallinen Halbleitersubstrats ausgebildeten Dotierungsgebiet (DG) und einer darüber abgeschiedenen Halbleiterschicht (HS) ausgebildet ist.
To this end, changes made in the cathode side half of the anode side base (7) provide effective results, e.g. in the vicinity of the pn junction between the anode side (7) and the cathode side (6) base.
Wirkungsvoll sind dabei Veränderungen in der katodenseitigen Hälfte der anodenseitigen Basis (7), z.B. in der Nähe des pn-Überganges zwischen der anodenseitigen (7) und der katodenseitigen (6) Basis.
The arrow on the symbol for bipolar transistors indicates the PN junction between base and emitter and points in the direction conventional current travels.
Der Pfeil befindet sich immer auf der Emitterseite und zeigt in die Richtung, in die sich die positiven Ladungsträger bewegen.
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