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pn-junctions
Vertaling van "pn-junctions" in Duits
pn-Übergänge
pn-Übergängen
Method according to one of claims 25 to 31, wherein the further assemblies (12.1, 12.2) are generated simultaneously in the doping process for the pn-junctions of the photodetectors (2.1, 2.2).
Verfahren nach einem der Ansprüche 25 bis 31, wobei beim Dotierungsprozess für die pn-Übergänge der Fotodetektoren (2.1, 2.2) gleichzeitig die weiteren Baugruppen (12.1, 12.2) erzeugt werden.
There are no more pn-junctions preventing current flow under the gate - current can flow freely; only limited by the ohmic resistance of contacts, source/drain and channel.
Es gibt keine pn-Übergänge mehr in diesem Bereich - Strom kann ungehindert fließen, nur noch begrenzt durch den Ohmschen Widerstand des Kanals.
Calibration of component cells for multi-junction space cells with 3 or 4 pn-junctions.
Kalibrierung von Komponentenzellen für Multijunction-Weltraumzellen mit 3 oder 4 pn-Übergängen.
This forms the base for the discussion the static and dynamic characteristics of pn-junctions, metallsemiconductor junctions and semiconductor heterojunctions including a brief introduction to optoelectronic devices.
Darauf aufbauend folgt die Betrachtung des statischen und dynamischen Verhaltens von pn-Übergängen, Metall-Halbleiterübergängen und Halbleiter-Heteroübergängen mit einer kurzen Einführung in optoelektronische Bauelemente.
Method of reproducing electrical barrier layers (PN-junctions) in semiconductors by processing induced corpuscular beam signals within a scanning corpuscular microscope.
Verfahren zur Abbildung von elektrischen Sperrschichten (pn-Übergängen) in Halbleitern durch Verarbeitung von korpuskularstrahlinduzierten Signalen im Raster-Korpuskularmikroskop.
By suitably biasing these pn-junctions, the width and position of the active channel can be controlled down to the nanometer regime, thereby enabling single-defect spectroscopy (SDS) on large-area devices.
Durch das Anlegen von geeigneten Spannungen kann die Weite sowie die Position des leitfähigen Kanales im Nanometerbereich eingestellt werden, wodurch die Einzeldefektspektroskopie auf großen Transistoren ermöglicht wird.
Adding pn-junctions on a sample has the advantage that a considerably higher number of measurable pn-junctions can be produced.
Weitere pn-Übergänge auf einer Probe zu haben birgt den Vorteil, dass sich so eine erheblich höhere Anzahl an messbaren pn-Übergängen herstellen lässt.
It is the first time that such a high efficiency is obtained for a solar cell with four pn-junctions in series.
Erstmals wurde ein derartig hoher Wirkungsgrad mit einer Solarzelle aus vier in Serie verschalteten pn-Übergängen nachgewiesen.
Two or more series-connected laser active pn-junctions are placed inside one and the same forward directions of said pn-junctions are parallel.
In ein und demselben Resonator des Halbleiterlaser-Chips sind zwei oder mehrere in Serie geschaltete laseraktive pn-Übergänge eingebracht, deren Vorwärtsrichtungen gleichgerichtet sind.
The invention concerns a temperature sensor with at least two semiconductor diodes, designed as pn-junctions in a semiconductor substrate, the diodes supplying electrical signals characteristic of the temperature being measured.
Die Erfindung betrifft einen Temperatursensor mit wenigstens zwei, für die zu bestimmende Temperatur charakteristische elektrische Werte liefernden Halbleiterdioden, die als pn-Übergänge in einem Halbleitersubstrat ausgebildet sind.
The forward direction of said pn-junction is arranged in an opposite direction relative to the forward direction of the laser active pn-junctions.
Zwischen zwei laseraktiven pn-Übergängen ist jeweils ein pn-Übergang angeordnet, dessen Vorwärtsrichtung der Vorwärtsrichtung der laseraktiven pn-Übergänge entgegengerichtet ist.
A photodiode module as claimed in claim 13 or 14, wherein the PD chip has extra pn-junctions at peripheries made by zinc diffusion for eliminating extra carriers yielded by stray light entering the peripheries.
Fotodiodenmodul nach Anspruch 13 oder 14, wobei der Fotodioden-Chip zusätzliche PN-Übergänge an Rändern aufweist, die durch Zink-Diffusion hergestellt werden, um zusätzliche Ladungsträger zu beseitigen, die durch Streulicht entstehen, das in die Ränder eintritt.
Analogous to what is observed in forward biased pn-junctions, the diffusion of electrons inside the titanium dioxide determines the admittance of the electrolyte-DSSC.
Entsprechend der Theorie der klassischen Diffusionsadmittanz am pn-Übergang bestimmt die Diffusion von Elektronen im Titandioxid die Admittanz der Elektrolyt-FSSZ.
Synoniemen voor pn-junctions in het Engels
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pn junctions
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