Vertaling van "programmable non-volatile memory" in Duits
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programmierbaren nichtflüchtigen Speicher
programmierbarer Festwertspeicher
programmierbare nichtflüchtige Speicheranordnung
PROGRAMMIERBARER NICHTFLÜCHTIGER SPEICHER
A method of refreshing an electrically erasable and programmable non-volatile memory
Verfahren zur Auffrischung der Daten in einem elektrisch lösch- und programmierbaren nichtflüchtigen Speicher
Electrically programmable non-volatile memory cells device for a reduced number of programming cycles
Elektrisch programmierbare nichtflüchtige Speicherzelle für eine verringerte Anzahl von Programmierzyklen
Cell array structure for an electrically erasable and programmable non-volatile memory device
Zellenanordnung für ein elektrisch löschbares und programmierbares nicht-flüchtiges Speicherbauelement
Electrically erasable and programmable non-volatile memory device with testable redundancy circuits
Elektrische löschbare und programmierbare nichtflüchtige Speicheranordnung mit prüfbaren Redundanzschaltungen
Protection circuit for redundancy registers set-up cells of electrically programmable non-volatile memory devices
Sicherungsschaltung für Initialisierungszellen von Redundanzregistern von elektrisch programmierbaren nichtflüchtigen Speicheranordnungen
Sectorized electrically erasable and programmable non-volatile memory device with redundancy
Sektoriziertes elektrisch löschbares und programmierbares nichtflüchtiges Speichergerät mit Redundanz
An electrically programmable non-volatile memory cell device, characterized in that it comprises at least one voltage-selecting switch as claimed in any of the preceding claims.
Eine elektrisch programmierbare nichtflüchtige Speicherzellanordnung, dadurch gekennzeichnet, dass sie mindestens einen Spannungsumschalter wie in einem der vorhergehenden Ansprüche beansprucht umfasst.
Method for protecting circuit arrangements comprising an electrically programmable non-volatile memory used as a counter of marginal, not well-defined programming of this memory, and circuitry for carrying out this method.
Verfahren zum Schutz von Schaltungsanordnungen mit als Zähler eingesetztem elektrisch programmierbarem nichtflüchtigem Speicher vor grenzwertiger, nicht eindeutiger Programmierung dieses Speichers und Schaltungsanordnung zur Durchführung des Verfahrens.
Integrated circuit comprising electrically programmable non-volatile memory elements, characterised in that it comprises at least one control device according to any one of the preceding claims, applied to at least one switch with a high-voltage input for programming memory elements.
Integrierter Schaltkreis mit elektrisch programmierbaren nicht flüchtigen Speicherelementen, dadurch gekennzeichnet, dass er wenigstens eine Steuerschaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche umfasst, die verwendet wird für wenigstens einen Wandler eines Hochspannungseingangs für die Programmierung von Speicherelementen.
The non-volatile semiconductor device according to claim 1, the non-volatile memory cells are electrically erasable programmable non-volatile memory cells.
Nicht-flüchtige Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die nicht-flüchtigen Speicherzellen elektrisch löschbare programmierbare nicht-flüchtige Speicherzellen sind.
Method according to claim 1, characterised in that the identification data of the computer and the access key thereto are stored in an electrically programmable non-volatile memory of the memorising means (2) associated with the microprocessor unit (1).
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Daten für die Identifizierung des Rechners und der Adressencode für den Zugriff auf diesen Rechner in einem elektrisch programmierbaren nicht energieabhängigen Speicher (2) gespeichert sind, welcher an eine Mikroprozessoreinheit (1) angeschlossen ist.
The method of claim 1 wherein the instrument (10) includes a programmable non-volatile memory (250) and the instruction (6, 10, 14, ...
Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Gerät (10) einen programmierbaren nichtflüchtigen Speicher (250) umfaßt und die Instruktion (6, 10, 14, ...
A circuit according to claim 1, characterized in that said pre-buffer means (12) receives a signal from a programmable non-volatile memory circuit (15) having a normal data read mode and a programming mode accompanied by a verify operation.
Schaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorpuffereinrichtung (12) ein Signal von einem programmierbaren, nicht flüchtigen Speicherschaltkreis (15) mit einem normalen Datenlesemodus und einem Programmiermodus begleitet von einem Verifizierungsvorgang empfängt.
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