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programming the non-volatile memory
Vertaling van "programming the non-volatile memory" in Duits
Programmierung des nichtflüchtigen Speichers
Programmieren der nicht flüchtigen Speicherzelle
Major characteristics like magnetic field range, sensitivity, offset, and the temperature coefficients of sensitivity and offset can easily be adjusted to the magnetic circuit by programming the non-volatile memory.
Hauptmerkmale wie Magnetfeldbereich, Empfindlichkeit, Offset und die Temperaturkoeffizienten von Empfindlichkeit und Offset können leicht durch Programmierung des nichtflüchtigen Speichers an den Magnetkreis angepasst werden.
All the signals for programming the non-volatile memory (13) are generated by the programming device (10) and transferred via contacting pins (17) to the connection lines (15) of the non-volatile memory (13).
Sämtliche Sinale zur Programmierung des nichtflüchtigen Speichers (13) werden vom Programmiergerät (10) erzeugt und über Kontaktierungs- stifte (17) zu den Anschlußleitungen (15) des nichtflüchtigen Speichers (13) übertragen.
Provided for programming the non-volatile memory (14) of the control unit (10) is an external programming device (11) which is connected to the control unit (10) by a serial-transfer line (12).
Für die Programmierung des nichtflüchtigen Speichers (14) des Steuergerätes (10) ist ein externes Programmiergerät (11) vorgesehen. Das externe Programmiergerät (11) ist über eine serielle Übertragungsleitung (12) mit dem Steuergerät (10) verbunden.
The sensor features an arbitrarily programmable stepwise linear characteristic for linearization of the output signal. Major characteristics can be adjusted to the magnetic circuit by programming the non-volatile memory.
Hauptmerkmale wie Magnetfeldbereich, Empfindlichkeit, Offset und die Temperaturkoeffizienten von Empfindlichkeit und Offset können leicht durch Programmierung des nichtflüchtigen Speichers an den Magnetkreis angepasst werden.
The method for programming the non-volatile memory cell (13) of claim 1 wherein the second voltage potential is a ground potential.
Verfahren zum Programmieren der nicht flüchtigen Speicherzelle (13) nach Anspruch 1, wobei das zweite Spannungspotential ein Erdpotential ist.
The method for programming the non-volatile memory cell (13) of claim 1 wherein the dielectric layer (17) of the non-volatile memory cell is greater than 300 angstroms thick.
Verfahren zum Programmieren der nicht flüchtigen Speicherzelle (13) nach Anspruch 1, bei dem die dielektrische Schicht (17) der nicht flüchtigen Speicherzelle eine Dicke von mehr als 300 Å aufweist.
The method for programming the non-volatile memory cell (13) of claim 1 further comprising the step of placing a fifth voltage potential on the semiconductor substrate (10).
Verfahren zum Programmieren der nicht flüchtigen Speicherzelle (13) nach Anspruch 1, welches weiterhin den Schritt des Anlegens eines fünften Spannungspotentials an das Halbleitersubstrat (10) umfasst.
The method for programming the non-volatile memory cell (13) of claim 1 wherein the fourth voltage potential on the control gate region (21) also directs at least some electrons from the flow of electrons provided by the third voltage potential.
Verfahren zum Programmieren der nicht flüchtigen Speicherzelle (13) nach Anspruch 1, wobei das vierte Spannungspotential an dem Steuerungsgategebiet (21) auch wenigstens einige Elektronen von dem Fluss von Elektronen richtet, der von dem dritten Spannungspotential zur Verfügung gestellt wird.
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