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The present invention generally relates to a memory system that utilizes the programming voltage supplied from the outside.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf Speichersysteme, die mit einer von außerhalb gelieferten Programmierspannung arbeiten.
Due to the fact that only low charge quantities have to be moved for writing, only little programming voltage is required.
Da nur geringe Ladungsmengen beim Beschreiben bewegt werden müssen, wird nur eine niedrige Programmierspannung benötigt.
Integrated memory circuit including an internal high programming voltage generation circuit
Integrierte Speicherschaltung mit einer Schaltung zur Erzeugung einer hohen Programmierspannung
Control unit according to one of the preceding claims, characterized in that the signal for enabling the programming is applied to a charge pump, which outputs a programming voltage to the programmable, non-volatile memory.
Steuergerät nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Signal für die Programmierfreigabe an eine Ladungspumpe angelegt wird, die eine Programmierspannung an den programmierbaren, nichtflüchtigen Speicher abgibt.
Memory circuit comprising an erasable programmable memory, generator for generating a programming voltage for the memory, voltage controller and edge controller, both suitable for use in the generator.
Speicherschaltung mit löschbarem, programmierbarem Speicher, Generator zum Erzeugen einer Programmierspannung zum Speicher, Spannungsregler und Flankenregler, beide geeignet zur Verwendung im Generator, und ein Diodenelement.
A method according to claim 1 or 2 wherein a maximum programming voltage is less than or equal to five volts.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei eine maximale Programmierspannung geringer als oder gleich fünf Volt ist.
The logic module of claim 5, comprising a programming switch for switching between a programming voltage and ground.
Logikmodul nach Anspruch 5, enthaltend einen Programmierschalter zum Umschalten zwischen einer Programmierspannung und Masse.
The method defined in claim 10 wherein said first programming voltage is at least one volt less than 15 volts.
Verfahren nach Anspruch 10, wobei die erste Programmierspannung mindestens 1 Volt geringer als 15 Volt ist.
A method as claimed in any one of the claims 1-3 wherein the means supplying the programming voltage comprises at least one drain pump.
Verfahren nach einem der Schritte 1-3, bei dem die Einrichtung zum Liefern der Programmierspannung mindestens eine Drain-Pumpe aufweist.
The method of claim 6 wherein the step of initiating a programming operation is characterized by applying the programming voltage to memory cells in the array (12) to be programmed.
Verfahren nach Anspruch 6, wobei der Schritt zum Einleiten eines Programmiervorgangs durch Anlegen der Programmierspannung an zu programmierende Speicherzellen in dem Feld (12) gekennzeichnet ist.
The method defined in claim 1 wherein said second programming voltage is ground potential and all of said first, third, fourth, and fifth programming voltages are positive.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die zweite Programmierspannung auf Erdpotential liegt und jede der ersten, dritten, vierten und fünften Programmierspannung positiv ist.
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