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The present invention generally relates to a memory system that utilizes the programming voltage supplied from the outside.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf Speichersysteme, die mit einer von außerhalb gelieferten Programmierspannung arbeiten.
Due to the fact that only low charge quantities have to be moved for writing, only little programming voltage is required.
Da nur geringe Ladungsmengen beim Beschreiben bewegt werden müssen, wird nur eine niedrige Programmierspannung benötigt.
Integrated memory circuit including an internal high programming voltage generation circuit
Integrierte Speicherschaltung mit einer Schaltung zur Erzeugung einer hohen Programmierspannung
Control unit according to one of the preceding claims, characterized in that the signal for enabling the programming is applied to a charge pump, which outputs a programming voltage to the programmable, non-volatile memory.
Steuergerät nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Signal für die Programmierfreigabe an eine Ladungspumpe angelegt wird, die eine Programmierspannung an den programmierbaren, nichtflüchtigen Speicher abgibt.
Memory circuit comprising an erasable programmable memory, generator for generating a programming voltage for the memory, voltage controller and edge controller, both suitable for use in the generator.
Speicherschaltung mit löschbarem, programmierbarem Speicher, Generator zum Erzeugen einer Programmierspannung zum Speicher, Spannungsregler und Flankenregler, beide geeignet zur Verwendung im Generator, und ein Diodenelement.
The logic module of claim 5, comprising a programming switch for switching between a programming voltage and ground.
Logikmodul nach Anspruch 5, enthaltend einen Programmierschalter zum Umschalten zwischen einer Programmierspannung und Masse.
The method defined in claim 10 wherein said first programming voltage is at least one volt less than 15 volts.
Verfahren nach Anspruch 10, wobei die erste Programmierspannung mindestens 1 Volt geringer als 15 Volt ist.
A method as claimed in any one of the claims 1-3 wherein the means supplying the programming voltage comprises at least one drain pump.
Verfahren nach einem der Schritte 1-3, bei dem die Einrichtung zum Liefern der Programmierspannung mindestens eine Drain-Pumpe aufweist.
The integrated circuit memory device of claim 38, wherein the programming voltage detection circuit includes an output buffer coupled to the logic responsive to the logic signal to provide the low programming signal.
Speichereinrichtung einer integrierten Schaltung nach Anspruch 38, wobei die Detektionsschaltung für die Programmierspannung einen Ausgangspuffer mit der Logik gekoppelt umfaßt, der auf das Logiksignal anspricht, um das Niedrig-Programmiersignal bereitzustellen.
The processing system of claim 21, wherein the reference supply includes a voltage reduction circuit, coupled to the programming voltage of the power supply, which provides an intermediate voltage in response to the programing voltage.
Verarbeitungssystem nach Anspruch 21, wobei die Referenzversorgung, gekoppelt mit der Programmierspannung der Stromversorgung, eine Spannungsreduzierungsschaltung umfaßt, welche eine Zwischenspannung in Reaktion auf die Programmierspannung bereitstellt.
A nonvolatile semiconductor memory device according to claim 1, characterized in that a voltage between programming voltage and 0 V is applied to the control gates of said cell transistors in a period of time in which none of said cell transistors are selected.
Nichtflüchtige Halbleiter-Speichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Spannung zwischen der Programmierspannung und 0 V an die Steuer-Gates der Zellentransistoren in einem Zeitraum angelegt ist, in dem keiner der Zellentransistoren gewählt ist.
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