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Based on this novel ansatz a simulation to calculate the emission rate in different quantum dot based memory structures is developed.
Auf Basis dieses neuen Ansatzes wird ein Simulationsprogramm zur Berechnung der Emissionsrate in beliebigen quantenpunktbasierten Speicherstrukturen entwickelt.
To determine the write and erase times in quantum dot based memory structures a novel measurement method has to be developed, as the conventional capacitance spectroscopy is not able to measure expected times of nanoseconds.
Zur Bestimmung der Schreib- und Löschzeiten in quantenpunktbasierten Speicherstrukturen muss eine neue Mess-methode entwickelt werden, da die konventionelle Kapazitätsspektroskopie die erwarteten Zeiten von einigen Nanose-kunden zeitlich nicht aufzulösen vermag.
The approach allows for a comprehensive description of quantum dot based devices on multiple scales: It enables the calculation of the quantum optical figures of merit along with the simulation of the spatially resolved current flow in realistic, multi-dimensional semiconductor device geometries out of one box.
Der Ansatz ermöglicht eine umfassende Beschreibung quantenpunktbasierter Bauelemente auf mehreren Skalen - so lassen sich insbesondere die mikroskopischen, quantenoptischen Eigenschaften des Bauelements gemeinsam mit dem räumlich aufgelösten Ladungsträgertransport in realistischen, mehrdimensionalen Halbleiterstrukturen aus einem Modell berechnen.
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