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random access memory cell according
Vertaling van "random access memory cell according" in Duits
RAM-Zelle gemäß
A dynamic random access memory cell according to anyone of the claims 1 to 6 wherein said buried insulating collar is silicon dioxide.
Eine dynamische RAM-Zelle gemäß einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 6, bei dem der vergrabene Isolierkragen aus Siliciumdioxid besteht.
A dynamic random access memory cell according to claim 5 wherein said electrode (32) is comprised of heavily doped polycrystalline silicon.
Eine dynamische RAM-Zelle gemäß Anspruch 5, bei dem die Elektrode (32) aus starkdotiertem polykristallinen Silicium besteht.
A dynamic random access memory cell according to claim 1 wherein said buried insulating collar (36) is contiguous with a portion of said at least one access device (12).
Eine dynamische RAM-Zelle gemäß Anspruch 1, in dem der vergrabene Isolierkragen (36) zusammenhängend mit einem Teil dieser mindestens einen Zugangsvorrichtung (12) ist.
A dynamic random access memory cell according to claim 1 or 2 further including means (38, 44, 46) for interconnecting said at least one access device (12) and said at least one storage means (14).
Eine dynamische RAM-Zelle gemäß Anspruch 1 oder 2, die ferner Mittel (38, 44, 46) zum Zusammenschließen dieser mindestens einen Zugangsvorrichtung (12) und dieses mindestens einen Speichermittels (14) umfaßt.
A dynamic random access memory cell according to anyone of the claims 1 to 4 wherein said at least one storage means (14) is an electrode (32) disposed in an insulating spaced relationship with said substrate (16).
Eine dynamische RAM-Zelle gemäß einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 4, bei der dieses mindestens eine Speichermittel (14) eine Elektrode (32) ist, die in einer isolierten, beabstandeten Beziehung zu dem Substrat (16) angeordnet ist.
A random access memory cell according to claim 1, wherein said oxide layer (240) extends nominally about 1/3 the width of the gate.
Direktzugriffsspeicherzelle nach Anspruch 1, wobei sich die Oxidschicht (240) nominell über etwa 1/3 der Breite der Gateelektrode erstreckt.
The static random access memory cell according to claim 6, wherein the second conductivity type includes p-type, the second polysilicon layer includes a p+ implant in regions other than a TFT channel region, and the TFT includes a p-channel TFT.
Statische Schreib-Lese-Speicherzelle nach Anspruch 6, bei welcher der zweite Leitfähigkeitstyp einen p-Typ aufweist, die zweite Polysiliciumschicht ein p+ Implantat in Regionen aufweist, welche von den TFT Kanalregionen abweichen, und der TFT einen P-Kanal TFT aufweist.
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