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random access memory device according
Vertaling van "random access memory device according" in Duits
Speichereinrichtung mit wahlfreiem Zugriff nach
Direktzugriffsspeichervorrichtung nach
Speicheranordnung mit wahlfreiem Zugriff nach
A dynamic random access memory device according to claim 4, characterized by further comprising a potential-boosting capacitor provided adjacent to said array of row decoders.
Dynamische Speichereinrichtung mit wahlfreiem Zugriff nach Anspruch 4, ferner gekennzeichnet durch einen Potentialboostkondensator, der benachbart zu dem Feld von Zeilendecodern angeordnet ist.
A dynamic random access memory device according to any one of claims 1 to 10, characterized in that each of said dynamic random access memory cells includes one transfer transistor and one capacitor.
Dynamische Speichereinrichtung mit wahlfreiem Zugriff nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß jede der dynamischen Speicherzellen mit wahlfreiem Zugriff einen Transfer-Transistor und einen Kondensator umfaßt.
The magnetic random access memory device according to claim 1, characterized in that the sense amplifier (21) outputs ternary data.
Die magnetische Direktzugriffsspeichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Leseverstärker (21) ternäre Daten ausgibt.
The magnetic random access memory device according to claim 4, characterized in that the data registers (14) rewrite the data held therein for each read cycle in the selected cell.
Die magnetische Direktzugriffsspeichervorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Datenregister (14) die in Ihnen bereitgehaltenen Daten für jeden Lesezyklus in der selektierten Zelle umschreiben.
A non-volatile random access memory device according to claim 1, wherein the volatile memory cell (1) is a static random access memory cell including a flip-flop circuit.
Eine nichtflüchtige Speicheranordnung mit wahlfreiem Zugriff nach Anspruch 1, bei der die flüchtige Speicherzelle (1) eine statische Speicherzelle mit wahlfreiem Zugriff ist, die eine Flipflop-Schaltung enthält.
A dynamic random access memory device according to claim 1, wherein each of said dynamic memory cells is provided with a stacked type storage capacitor.
Eine dynamische Speicheranordnung mit wahlfreiem Zugriff nach Anspruch 1, bei der jede der genannten dynamischen Speicherzellen mit einem Stapeltypspeicherkondensator versehen ist.
A dynamic random access memory device according to claim 1, wherein said bit line is extended in a zigzag manner to alternately connect said first and second groups of dynamic memory cells.
Eine dynamische Speicheranordnung mit wahlfreiem Zugriff nach Anspruch 1, bei der sich die genannte Bitleitung zickzackartig erstreckt, um genannte erste und zweite Gruppen von dynamischen Speicherzellen abwechselnd zu verbinden.
A dynamic random access memory device according to claim 6, wherein said storage electrode is formed after the formation of said bit line and a word line of the memory cell is formed prior to the formation of said bit line.
Eine dynamische Speicheranordnung mit wahlfreiem Zugriff nach Anspruch 6, bei der genannte Speicherelektrode nach der Bildung von genannter Bitleitung gebildet wird und eine Wortleitung der Speicherzelle vor der Bildung von genannter Bitleitung gebildet wird.
A dynamic random access memory device according to claim 12, characterized in that a plate potential is applied to the capacitors of said memory cells from a semiconductor layer of a second conductivity type provided within a semiconductor body of a first conductivity type.
Dynamische Speichereinrichtung mit wahlfreiem Zugriff nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß ein Plattenpotential an die Kondensatoren der Speicherzellen von einer Halbleiterschicht eines zweiten Gleitfähigkeitstyps, die innerhalb eines Halbleiterkörpers eines ersten Leitfähigkeitstyps vorgesehen ist, angelegt wird.
A dynamic random access memory device according to claim 5, wherein said capacitor has a tree-like multilayer structure comprising a storage electrode having fins, a dielectric film covering said electrode, and an opposite electrode covering said dielectric film.
Eine dynamische Speicheranordnung mit wahlfreiem Zugriff nach Anspruch 5, bei der genannter Kondensator eine baumartige Mehrschichtstruktur hat, die eine Speicherelektrode mit Rippen umfaßt, einen dielektrischen Film, der genannte Elektrode bedeckt, und eine gegenüberliegende Elektrode, die genannten dielektrischen Film bedeckt.
The magnetic random access memory device according to claim 1, characterized in that the sense amplifier (21) outputs the difference between the signal read from the selected memory cell and that read from the reference cell.
Die magnetische Direktzugriffsspeichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Leseverstärker (21) die Differenz zwischen dem aus der selektierten Speicherzelle gelesenen Signals und das aus der Referenzzelle gelesene Signal ausgibt.
The magnetic random access memory device according to claim 1, characterized by further comprising a plurality of data registers (14) which are arranged so as to correspond to said plurality of reference cells and hold data to rewrite the data in the reference cells.
Die magnetische Direktzugriffsspeichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass diese ferner umfasst eine Vielzahl von Datenregistern (4), die angeordnet sind, um mit der Vielzahl von Referenzzellen zu korrespondieren, und zum Bereithalten von Daten, um die Daten in den Referenzzellen umzuschreiben.
A dynamic random access memory device according to claim 1, characterized in that said first and second electrodes (36a 1, 36a 2) extend over a gate electrode of said transfer transistor (T).
Dynamische Direktzugriffsspeichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sich die erste und die zweite Elektrode (36a1, 36a2) über eine Gate-Elektrode des Transfertransistors (T) erstrecken.
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