Vertaling van "redundancy memory cell array" in Duits
We konden deze vermelding niet vinden. Er worden benaderende resultaten weergegeven. Controleer je spelling of stel voor deze term aan het woordenboek toe te voegen.
Redundanzspeicherzellenanordnung
A semiconductor memory according to claim 8. characterized by further comprising sense amplifiers provided between said redundancy memory cell array and said main memory cell array.
Ein Halbleiterspeicher nach Anspruch 8, weiter gekennzeichnet durch Abtastverstärker, die zwischen der Redundanzspeicherzellenanordnung und der Hauptspeicherzellenanordnung bereitgestellt sind.
A semiconductor memory device according to claim 1, wherein said data-transfer path control means is provided between said redundancy memory cell array (3) and said redundancy data output circuit (5,6,7,8).
Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Datenübertragungssteuereinrichtung zwischen der Redundanzspeicherzellenanordnung (3) und der Redundanzdatenausgabeschaltung (5, 6, 7, 8) vorgesehen ist.
A semiconductor memory according to claim 9, characterized by further comprising a Control circuit for determining whether data in said redundancy memory cell array or data in said main memory cell array is to be supplied to said sense amplifiers.
Ein Halbleiterspeicher nach Anspruch 9, weiter gekennzeichnet durch eine Steuerschaltung zum Bestimmen, ob Daten in der Redundanzspeicherzellenanordnung oder Daten in der Hauptspeicherzellenanordnung zu den Abtastverstärkern zu liefern sind.
The semiconductor memory device as claimed in claim 2, wherein said redundancy memory cell array (30, 31) is disposed between said first and second normal memory cell arrays (21A, 21B; 23A, 23B).
Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 2, wobei die redundante Speicherzellanordnung (30, 31) zwischen der ersten und der zweiten normalen Speicherzellanordnung (21A, 21B; 23A, 23B) angeordnet ist.
A semiconductor memory according to claim 1, further characterized in that said redundancy memory cell array arranges at the end of said main memory cell array in the column direction.
Ein Halbleiterspeicher nach Anspruch 1, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Redundanzspeicherzellenanordnung an dem Ende der Hauptspeicherzellenanordnung in Spaltenrichtung angeordnet ist.
Potentieel gevoelige of ongepaste informatie
Er worden alleen voorbeelden gegeven om u te helpen het woord of de woordcombinatie waarop u hebt gezocht, te vertalen. Deze worden niet door ons geselecteerd of gevalideerd en kunnen ongepaste taal bevatten. Wij vragen u melding te maken van voorbeelden die dienen te worden aangepast of verwijderd. Vertalingen met grof of informeel taalgebruik worden meestal rood of oranje gemarkeerd.