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Opfer-Deckschicht
The method of Claim 2 wherein supplying an electrical connection (24) comprises depositing a blanket metal layer and patterning and etching the metal layer to form conductive lines (24) after removing the sacrificial cap layer (20).
Verfahren gemäß Anspruch 2, bei dem das Zuführen einer elektrischen Verbindung (24) ein Aufbringen einer Abdeck-Metallschicht und ein Strukturieren und Ätzen der Metallschicht umfasst, um leitende Bahnen (24) zu bilden, nach dem Entfernen der Opfer-Deckschicht (20).
The method of Claim 12 further comprising depositing an etch stop layer (32) over the first insulator layer (22) and the sacrificial cap layer (20) before depositing the second insulator layer (26).
Verfahren gemäß Anspruch 12, ferner mit einem Aufbringen einer Ätzstoppschicht (32) über der ersten Isolatorschicht (22) und der Opfer-Deckschicht (20) vor dem Aufbringen der zweiten Isolatorschicht (26).
The method of Claim 12 wherein forming the top conductors (30) comprises depositing metal into the trenches (28) after removing the sacrificial cap layer (20).
Verfahren gemäß Anspruch 12, bei dem das Bilden der oberen Leiter (30) ein Aufbringen von Metall in die Gräben (28) nach dem Entfernen der Opfer-Deckschicht (20) umfasst.
The method of Claim 4 wherein supplying an electrical connection (24) comprises filling the openings with metal after removing the sacrificial cap layer (20).
Verfahren gemäß Anspruch 4, bei dem das Zuführen einer elektrischen Verbindung (24) ein Füllen der Öffnungen mit Metall nach dem Entfernen der Opfer-Deckschicht (20) umfasst.
The method of Claim 8, wherein the sacrificial cap layer (20) comprises silicon-rich oxynitride and removing the exposed sacrificial cap layer (20) comprises plasma etching using at least one of Cl 2 and NF 3.
Verfahren gemäß Anspruch 8, bei dem die Opfer-Deckschicht (20) siliziumreiches Oxynitrid umfasst, und das Entfernen der freigelegten Opfer-Deckschicht (20) ein Plasmaätzen mit mindestens Cl 2 und/oder NF 3 umfasst.
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