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die Diffusionsschicht
die Streuschicht
The method according to claim 22, characterized in that a diffusion layer (64) of the second conductivity type is formed in said current-blocking layer (62) in such a manner that said diffusion layer partially overlaps said first contact layer (32).
Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß in der Stromsperrschicht (62) eine Diffusionsschicht (64) des zweiten Leitungstyps in der Weise geformt wird, daß die Diffusionsschicht die erste Kontaktschicht (32) teilweise überlappt.
An output circuit device according to claim 1, wherein said diffusion layer has a floating diffusion region for accumulating signal charge transferred thereto from a charge transfer section of said charge transfer element.
Ausgabeschaltungs-Bauelement nach Anspruch 1, bei welchem die Diffusionsschicht eine Region floatender oder veränderlicher Diffusion aufweist, um von einer Ladungstransfersektion des Ladungstransferelements dorthin transferierte Signalladungen zu akkumulieren.
A light transmission screen according to claim 1, wherein said diffusion layer contains a diffusion material, the surface of which is dyed by color pigment.
Durchlichtschirm, gemäß Anspruch 1, bei dem die Streuschicht Streumaterial enthält, dessen Oberfläche durch ein Farbpigment gefärbt ist.
A light transmission screen according to claim 1, wherein said diffusion layer contains a fine granular diffusion material of light diffusing with each respective particle thereof being transparent and measuring about 0.1 to 50 µm in diameter, and has the thickness of about 0.1 to 200 µm.
Durchlichtschirm, gemäß Anspruch 1, bei dem die Streuschicht ein feines, körniges Streumaterial mit Lichtstreueigenschaften enthält, wobei jedes entsprechende Teilchen von ihm transparent ist und im Durchmesser ungefähr 0,1 bis 50 µm misst und eine Dicke von ungefähr 0,1 bis 200 µm aufweist.
The laser according to claim 7, characterized in that said intermediate band-gap layer (22) has a carrier concentration ten times or more that in said second region thereof in said first region where said intermediate band-gap layer and said diffusion layer overlap each other.
Laser nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenbandabstandsschicht (22) im ersten Bereich, in welchem die Zwischenbandabstandsschicht und die Diffusionsschicht einander überlappen, eine Trägerkonzentration aufweist, die das Zehnfache oder mehr derjenigen in ihrem zweiten Bereich beträgt.
A semiconductor circuit device as claimed in Claim 3, characterized in that said diffusion layer and said conductive film are connected through a first contact hole (58), said conductive film and said other wiring pattern being connected through a second contact hole (59).
Halbleiterschaltungsvorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Diffusionsschicht und der leitende Film über ein erstes Kontaktloch (58) verbunden sind, wobei der leitende Film und das weitere Verdrahtungsmuster über ein zweites Kontaktloch (59) verbunden sind.
The laser according to claim 8, characterized in that said diffusion layer (28) comprises a Group II element as a metal impurity diffused therein.
Laser nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Diffusionsschicht (28) ein Element der Gruppe II als in sie eindiffundiertes Metallfremdatom aufweist.
The collagen-based matrix as defined in Claim 35 wherein said collagen-based matrix and said diffusion layer have a combined tensile strength of at least 100 psi (689 KN.m⁻²).
Matrix auf Kollagenbasis nach Anspruch 35, worin die Matrix auf Kollagenbasis und die Diffusionsschicht eine Gesamtzugfestigkeit von wenigsten 100 psi (689 kN.m⁻²) aufweisen.
A light transmission screen according to claim 1, wherein said diffusion layer is formed by disposing uniformly said diffusion material to the thickness equal to about the diameter of one particle contained in said diffusion material.
Durchlichtschirm, gemäß Anspruch 1, bei dem die Streuschicht gebildet ist, indem das Streumaterial gleichförmig mit einer Dicke von ungefähr gleich dem Durchmesser eines Teilchens gebildet ist, das in dem Streumaterial enthalten ist.
A vertical type insulated-gate semiconductor device according to any one of claims 1 to 4, characterized in that first conductivity type impurities for forming said diffusion layer (5) have a diffusion coefficient smaller than that of second conductivity type impurities for forming said well region.
Vertikale Halbleiteranordnung mit isoliertem Gate nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Verunreinigungen des ersten Leitfähigkeitstyps zur Bildung der genannten Diffusionsschicht (5) einen Diffusionskoeffizienten aufweisen, der kleiner als derjenige der Verunreinigungen des zweiten Leitfähigkeitstyps zur Bildung des genannten Senkenbereiches ist.
The tandem solar cell according to claim 4, wherein the impurity concentration of said diffusion layer (30) is 10 3 -10 4 times as high as that of the substrate.
Die Tandem-Solarzelle nach Anspruch 4, wobei die Konzentration der Dotierungen der Diffusionsschicht (30) 10 3 bis 10 4 -mal so hoch wie die des Substrats ist.
The surface of the bearing ring (1) has a hardened surface layer (2) which comprises nitrites and which comprises a diffusion layer (3) and a connecting layer (4) situated above said diffusion layer.
Die Oberfläche des Lagerrings (1) weist eine gehärtete, Nitride umfassende Randschicht (2) auf, die eine Diffusionsschicht (3) und eine über dieser liegende Verbindungsschicht (4) umfasst.
A vertical type insulated-gate semiconductor device according to claim 1, characterized in that said vertical diffusion depth of said diffusion layer (5) is approximately 0,5 µm and said junction depth of said source region (7) is approximately 0,7 µm.
Vertikale Halbleiteranordnung mit isoliertem Gate nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die genannte vertikale Diffusionstiefe der Diffusionsschicht (5) annähern 0,5 µm beträgt und daß die Übergangstiefe des genannten Source-Bereiches (7) annähernd 0,7 µm ist.
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Synoniemen voor said diffusion layer in het Engels