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said first cladding layer
Vertaling van "said first cladding layer" in Duits
der ersten Mantelschicht
die erste Mantelschicht
die erste Überzugsschicht
The semiconductor device as claimed in claim 1, wherein the height of a miniband formed by the superlattice of said first cladding layer (20b) is greater than that of said second cladding layer (20a).
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Höhe eines durch das Supergitter der ersten Mantelschicht (20b) gebildeten Minibands größer ist als die der zweiten Mantelschicht (20a).
A device according to claim 1, characterized by a second cladding layer (7) on the side of said interleaved region (5) opposite to that of said first cladding layer (3).
Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine zweite Mantelschicht (7) auf der Seite der zwischengeschalteten Zone (5), welche der der ersten Mantelschicht (3) gegenübersteht.
A laser device according to claim 1, further characterized in that said second cladding layer (410) is less in thickness than said first cladding layer.
Laservorrichtung gemäß Anspruch 1, ferner dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Mantelschicht (410) weniger dick als die erste Mantelschicht ist.
A light emitting diode as claimed in any of claims 1 to 3, characterized in that a p-type impurity or impurities doped in said p-type active layer (12) and said first cladding layer (11) include at least Zn.
Lichtemittierende Diode wie in irgendeinem der Ansprüche 1 bis 3 beansprucht, dadurch gekennzeichnet, daß ein p-leitender Fremdstoff oder p-leitende Fremdstoffe, mit denen die p-leitende aktive Schicht (12) und die erste Überzugsschicht (11) dotiert sind, mindestens Zn umfassen.
The semiconductor light-emitting device according to claim 1 or 3 wherein said ZnSSe compound semiconductor layer (17) is 0.01∼2µm thick, and said first cladding layer (3) is 0.2∼2µm thick.
Lichtemittierende Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 3, bei welcher die ZnSSe-Verbindungshalbleiterschicht (17) 0,01-2 µm dick ist und die erste Überzugsschicht (3) 0,2-2 µm dick ist.
A light sensing device as defined in claim 10, wherein: the value of x in the Al Ga As of said first cladding layer (603) and said second cladding layer (607) is between 0.20 to 0.40.
Lichterfassungsvorrichtung nach Anspruch 10, bei der der Wert x in Al x Ga 1-x As der ersten Mantelschicht (603) und der zweiten Mantelschicht (607) zwischen 0,20 bis 0,40 liegt.
The light-sensing device as defined in claim 14, wherein said semiconductor layers are formed of AlGaAs-type compound semiconductors, and the value of x in the Al x Ga 1-x As of said first cladding layer and said second cladding layer is between 0.20 and 0.40.
Licht erfassende Vorrichtung nach Anspruch 14, bei der die Halbleiterschichten aus AlGaAs-Verbindungshalbleitem gebildet sind und der Wert von x in dem Al x Ga 1-x As der ersten Mantelschicht und der zweiten Mantelschicht zwischen 0,20 und 0,40 liegt.
An amplifier according to claim 9, wherein said first cladding layer (3, 23) comprises an n-type semiconductor, said second cladding layer (5, 25) comprises a p-type semiconductor, and said waveguide layer (4,32) comprises a non-doped semiconductor.
Verstärker nach Anspruch 9, bei der die erste Mantelschicht (3, 23) einen Halbleiter vom n-Typ umfaßt, die zweite Mantelschicht (5, 25) einen Halbleiter vom p-Typ umfaßt, und die Wellenleiterschicht (4, 32) einen undotierten Halbleiter umfaßt.
The semiconductor laser as claimed in claim 3, wherein said pair of second barrier layers also cover a surface of said first cladding layer (31).
Halbleiterlaser nach Anspruch 3, wobei das Paar der zweiten Sperrschichten auch eine Oberfläche der ersten Deckschicht abdeckt.
A method of producing a semiconductor laser device according to Claim 1, wherein said first cladding layer (12), said active layer (13) and said second cladding layer (14) are deposited by the molecular beam epitaxy process.
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Laser-Vorrichtung nach Anspruch 1, worin die erste Plattierschicht (12), die aktive Schicht (13) und die zweite Plattierschicht (14) mittels des Molekularstrahl-Epitaxie-Verfahrens abgeschieden werden.
The semiconductor light-emitting device according to claim 5, wherein said active layer (32) is composed of ZnSTe, said first cladding layer (31) is composed of n-type ZnSSe, and said second cladding layer (33) is composed of p-type ZnSSe.
Lichtemittierendes Halbleiter-Bauelement gemäß Anspruch 5, wobei die aktive Schicht (32) aus ZnSTe, die erste Deckschicht (31) aus n-Typ ZnSSe und die zweite Deckschicht (33) aus p-Typ ZnSSe besteht.
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