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said first semiconductor substrate
Vertaling van "said first semiconductor substrate" in Duits
des ersten Halbleitersubstrats
A sensor according to any one of claims 9 to 13, characterized by further comprising: a channel stopper (79) formed in the mirror-polished surface of said first semiconductor substrate (41).
Sensor nach einem der Ansprüche 9 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich in der hochglanzpolierten Oberfläche des ersten Halbleitersubstrats (41) ein Kanalstopper (79) vorgesehen ist.
Method according to claim 1, characterized by: forming said epitaxial layer (16) with a thickness substantially equal to that of said first semiconductor substrate (11).
Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch: Bilden der Epitaxieschicht (16) in einer Dicke, die im wesentlichen derjenigen des ersten Halbleitersubstrats (11) entspricht.
Method according to claim 1, characterized by: forming the thickness of said epitaxial layer (16) to be substantially greater than that of said first semiconductor substrate (11).
Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch: Ausbilden der Dicke der Epitaxieschicht (16) derart, daß sie im wesentlichen größer als diejenige des ersten Halbleitersubstrats (11) ist.
Method according to claim 2, characterized by: forming a semiconductor power element in said epitaxial layer (16) and semiconductor elements are formed in said element areas (19) of said first semiconductor substrate to control said semiconductor power element.
Verfahren nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch: Bilden eines Halbleiterleistungselementes in der Epitaxieschicht (16) und Bilden von Halbleiterelementen in den Elementbereichen (19) des ersten Halbleitersubstrats zur Steuerung des Halbleiterleistungselementes.
A device according to claim 1, characterized by further comprising a predetermined semiconductor element formed in said element forming region of said first semiconductor substrate (12; 22; 32; 42; 52; 62).
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sie ferner ein vorbestimmtes Halbleiterelement umfasst, das in dem Elementbildungsgebiet des ersten Halbleitersubstrats (12; 22; 32; 42; 52; 62) gebildet ist.
A method according to claim 28, wherein said plurality of high impurity concentration regions (17) are disposed in portions of said second substrate which do not correspond to said recesses (40) defined in said first semiconductor substrate.
Verfahren nach Anspruch 28, worin die Vielzahl von Bereichen (17) mit hoher Verunreinigungskonzentration in Abschnitten des zweiten Substrats angeordnet sind, die nicht den Ausnehmungen (40) entsprechen, die im ersten Halbleitersubstrat definiert sind.
A semiconductor substrate for a composite semiconductor device according to claim 1, characterized by further comprising a semiconductor power device in said epitaxial layer (14), and a semiconductor element in said first semiconductor substrate (11) for controlling said power device.
Halbleitersubstrat für eine zusammengesetzte Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch weiterhin eine Halbleiterleistungsvorrichtung in der epitaxialen Schicht (14) und ein Halbleiterelement in dem ersten Halbleitersubstrat (11) zum Steuern der Leistungsvorrichtung.
A method according to claim 11 or 12, characterized in that a bias voltage of a negative polarity is applied to said second semiconductor substrate (51; 61) if said first semiconductor substrate (62; 62) is a P-type semiconductor substrate.
Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass eine Vorspannung von negativer Polarität an das zweite Halbleitersubstrat (51; 61) angelegt wird, wenn das erste Halbleitersubstrat (52; 62) ein P-Typ Halbleitersubstrat ist.
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