Vertaling van "said main memory cell array" in Duits
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der Hauptspeicherzellenanordnung
das Hauptspeicherzellenarray
A semiconductor memory according to claim 8. characterized by further comprising sense amplifiers provided between said redundancy memory cell array and said main memory cell array.
Ein Halbleiterspeicher nach Anspruch 8, weiter gekennzeichnet durch Abtastverstärker, die zwischen der Redundanzspeicherzellenanordnung und der Hauptspeicherzellenanordnung bereitgestellt sind.
A semiconductor memory according to claim 1, further characterized in that said redundancy circuit has a memory section (47) for storing data on a row having a defective memory cell of said main memory cell array.
Ein Halbleiterspeicher nach Anspruch 1, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Redundanzschaltung einen Speicherabschnitt (47) umfasst zum Speichern von Daten auf einer Zeile mit einer defekten Speicherzelle der Hauptspeicherzellenanordnung.
A semiconductor memory according to claim 1, further characterized in that said redundancy memory cell array arranges at the end of said main memory cell array in the column direction.
Ein Halbleiterspeicher nach Anspruch 1, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Redundanzspeicherzellenanordnung an dem Ende der Hauptspeicherzellenanordnung in Spaltenrichtung angeordnet ist.
The semiconductor memory of Claim 1 wherein said main memory cell array and said redundant memory cells are each part of a common memory block, said redundant memory cells comprising particular columns and rows of said memory block.
Halbleiterspeicher nach Anspruch 1, wobei das Hauptspeicherzellenarray und die redundanten Speicherzellen jeweils Teil eines gemeinsamen Speicherblocks sind, wobei die redundanten Speicherzellen bestimmte Spalten und Zeilen des Speicherblocks umfassen.
A semiconductor memory according to claim 9, characterized by further comprising a Control circuit for determining whether data in said redundancy memory cell array or data in said main memory cell array is to be supplied to said sense amplifiers.
Ein Halbleiterspeicher nach Anspruch 9, weiter gekennzeichnet durch eine Steuerschaltung zum Bestimmen, ob Daten in der Redundanzspeicherzellenanordnung oder Daten in der Hauptspeicherzellenanordnung zu den Abtastverstärkern zu liefern sind.
A device as set forth in claim 2, wherein said horizontal parity cell array is incorporated into said main memory cell array.
Vorrichtung nach Anspruch 2, bei der das genannte horizontale Paritätszellenarray in das Hauptspeicherzellenarray inkorporiert ist.
The semiconductor memory of Claim 1 wherein said fuses (28a, 28b, F 1 -F G) store addresses of rows of said main memory cell array that contain faulty cells.
Halbleiterspeicher nach Anspruch 1, wobei die Sicherungen (28a, 28b, F 1 - F G) Adressen von Zeilen des Hauptspeicherzellenarrays speichern, die fehlerhafte Zellen enthalten.
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