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said memory cell array
Vertaling van "said memory cell array" in Duits
der Speicherzellenmatrix
des Speicherzellenfeldes
der Speicherzellenanordnung
das Speicherzellenfeld
dem Speicherzellenarray
des Speicherzellenarrays
das Speicherzellenarray
The system of claim 1, wherein said first and second voltages are delivered via a line to each row of said memory cell array (30).
System nach Anspruch 1, in dem die erste und die zweite Spannung über eine Leitung an jede Zeile der Speicherzellenmatrix (30) geliefert werden.
The system of claim 1, and further comprising a plurality of said level shifters (50), one for each row of said memory cell array (30).
System nach Anspruch 1, ferner mit mehreren der Pegelschieber (50), einen für jede Zeile der Speicherzellenmatrix (30).
The semiconductor memory device according to one of claims 1 to 3, wherein said specific memory region is a portion of a real address space of said memory cell array.
Die Halbleiterspeichervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der der spezifische Speicherbereich ein Abschnitt eines Realadressraumes des Speicherzellenfeldes ist.
A semiconductor memory in accordance with claim 1, wherein said spare decoder is a spare row decoder for decoding the row address of said memory cell array.
Halbleiterspeicher nach Anspruch 1, bei dem der Zusatzdecodierer ein Zusatzzeilendecodierer zum Decodieren der Zeilenadresse des Speicherzellenfeldes ist.
A semiconductor memory according to any of the preceding claims, characterized by further comprising: a precharge circuit (100) for precharging the lines of a selected bit line pair of said memory cell array with electric charges to different potentials in a precharge period.
Halbleiterspeicher nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß er weiterhin folgendes aufweist: eine Vorladeschaltung (100) zum Vorladen der Leitungen eines ausgewählten Bitleitungspaars, der Speicherzellenanordnung mit elektrischen Ladungen auf unterschiedliche Potentiale in einer Vorladeperiode.
The programmable semiconductor memory apparatus according to claim 1, characterized in that all word lines (W1, W2, ...) of said memory cell array (1, 2, 3) are made non-active when the identifying code is read out.
Programmierbare Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sämtliche Wortleitungen (W1, W2, ...) der Speicherzellenanordnung (1, 2, 3) deaktiviert werden, wenn der Kenncode ausgelesen wird.
The method of claim 12, and further comprising the step of electronically isolating said memory cell array (30) from other electronic circuitry of said spatial light modulator (10).
Verfahren nach Anspruch 12, ferner mit dem Schritt des elektronischen Isolierens der Speicherzellenmatrix (30) von anderen elektronischen Schaltungen des räumlichen Lichtmodulators (10).
The ferroelectric memory according to claim 1, wherein said decode circuit includes a selective gate drive circuit configured to drive a selective gate for connecting said memory cell array to said sense amplifier circuit, and said selective gate drive circuit is activated after the predetermined period.
Der ferroelektrische Speicher nach Anspruch 1, wobei die Dekodierungsschaltung eine Selektivgatteransteuerschaltung enthält, die konfiguriert ist, ein selektives Gatter zum Verbinden des Speicherzellenfeldes mit der Leseverstärkerschaltung anzusteuern, und die Selektivgatteransteuerschaltung nach der vorbestimmten Periode aktiviert wird.
The memory device as claimed in claim 1 and 2, characterized by further comprising a third wiring (GS) for connecting said memory cell array (1) to said first voltage terminal through said first impedance element.
Speichervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch ferner eine dritte Verdrahtung (GS) zum Verbinden des Speicherzellenfeldes (1) mit dem ersten Spannungsanschluß über das erste Impedanzelement.
The non-volatile memory of claim 1, wherein said program-mode subcircuit (PART B) and said memory array are formed on a substrate and wherein said program-mode subcircuit (PART B) is formed on said substrate remotely from said memory cell array.
Nichtflüchtige Speichervorrichtung nach Anspruch 1, bei welcher die Programmodus-Teilschaltung (TEIL B) und die Speichermatrix auf einem Substrat gebildet sind und bei welcher die Programmodus-Teilschaltung (TEIL B) auf dem Substrat von der Speicherzellenmatrix entfernt gebildet ist.
A device according to claim 1 or 2, characterized in that the drain regions of the adjacent memory cell transistors of said memory cell array are commonly used.
Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Drainbereiche der nebeneinanderliegenden Speicherzellentransistoren des Speicherzellenfelds gemeinsam benutzt sind.
The semiconductor memory device as set forth in claim 1, in which said memory cell array (31) is formed by a plurality of dynamic random access memory cells.
Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Speicherzellenarray (31) durch eine Vielzahl von dynamischen Direktzugriffsspeicherzellen gebildet ist.
The nonvolatile semiconductor memory device according to claim 1, characterized in that said control circuit sets said first region at the power supply potential applied from the outside of the substrate in which said memory cell array is formed.
Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Steuerschaltkreis das erste Gebiet auf das Spannungsversorgungspotential setzt, das von außerhalb des Substrats angelegt wird, in welchem das Speicherzellenfeld gebildet ist.
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