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said second cladding layer
Vertaling van "said second cladding layer" in Duits
der zweiten Mantelschicht
die zweite Mantelschicht
der zweiten Überzugsschicht
die zweite Plattierschicht
An optical semiconductor device, according to claim 7, wherein: a cap layer (68) of said second conductivity type being provided on said second cladding layer (104).
Optische Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7, wobei auf der zweiten Mantelschicht (104) eine Deckschicht (68) des zweiten Leitfähigkeitstyps aufgebracht ist.
An optical coupling device according to claim 25, characterized in that said diffraction grating (96) consists of corrugation formed on said second cladding layer (95).
Optische Kopplungsvorrichtung nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß das Beugungsgitter (96) aus Riffelungen besteht, die auf der zweiten Mantelschicht (95) gebildet sind.
A laser device according to claim 1, further characterized in that said second cladding layer (410) is less in thickness than said first cladding layer.
Laservorrichtung gemäß Anspruch 1, ferner dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Mantelschicht (410) weniger dick als die erste Mantelschicht ist.
An amplifier according to claim 9, wherein said first cladding layer (3, 23) comprises an n-type semiconductor, said second cladding layer (5, 25) comprises a p-type semiconductor, and said waveguide layer (4,32) comprises a non-doped semiconductor.
Verstärker nach Anspruch 9, bei der die erste Mantelschicht (3, 23) einen Halbleiter vom n-Typ umfaßt, die zweite Mantelschicht (5, 25) einen Halbleiter vom p-Typ umfaßt, und die Wellenleiterschicht (4, 32) einen undotierten Halbleiter umfaßt.
The method according to claim 10, characterized in that an elongated projecting layer (54, 84) serving as said waveguide channel region is formed in said second cladding layer.
Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß in der zweiten Überzugsschicht eine als Wellenleiterkanalbereich dienende langgestreckte Vorsprungs- oder Erhebungsschicht (54, 84) geformt wird.
The semiconductor light-emitting device according to claim 1 wherein said ZnSSe compound semiconductor layer (8) is provided only on said second cladding layer (7).
Lichtemittierende Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, bei welcher die ZnSSe-Verbindungshalbleiterschicht (8) nur auf der zweiten Überzugsschicht (7) angeordnet ist.
The semiconductor device as claimed in claim 1, wherein the height of a miniband formed by the superlattice of said first cladding layer (20b) is greater than that of said second cladding layer (20a).
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Höhe eines durch das Supergitter der ersten Mantelschicht (20b) gebildeten Minibands größer ist als die der zweiten Mantelschicht (20a).
A light emitting device according to claim 6, further characterized in that said buried layer (310) has a conductivity type opposite to that of said second cladding layer (308) and functions as a current-blocking layer.
Eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 6, ferner dadurch gekennzeichnet, daß die vergrabene Schicht (310) eine Leitfähigkeit entgegengesetzt derjenigen der zweiten Mantelschicht (308) aufweist und als eine stromblockierende Schicht fungiert.
A semiconductor laser device according to claim 1, wherein said multi-layered structure further comprises a contact layer (6) of the second conductivity type formed on said second cladding layer (5).
Halbleiterlaser nach Anspruch 1, bei dem die Mehrschichtstruktur ferner eine Kontaktschicht (6) vom zweiten Leitungstyp aufweist, die auf der zweiten Mantelschicht (5) ausgebildet ist.
A laser diode as claimed in claim 11, wherein said horizontal region (64B) of said second cladding layer (64) has an electron concentration level of 6 x 10 17 cm -3 or more.
Laserdiode nach Anspruch 11, bei der die horizontale Region (64B) der zweiten Mantelschicht (64) ein Elektronenkonzentrationsniveau von 6×10 17 cm -3 oder mehr hat.
A light sensing device as defined in claim 10, wherein: the value of x in the Al Ga As of said first cladding layer (603) and said second cladding layer (607) is between 0.20 to 0.40.
Lichterfassungsvorrichtung nach Anspruch 10, bei der der Wert x in Al x Ga 1-x As der ersten Mantelschicht (603) und der zweiten Mantelschicht (607) zwischen 0,20 bis 0,40 liegt.
The light-sensing device as defined in claim 14, wherein said semiconductor layers are formed of AlGaAs-type compound semiconductors, and the value of x in the Al x Ga 1-x As of said first cladding layer and said second cladding layer is between 0.20 and 0.40.
Licht erfassende Vorrichtung nach Anspruch 14, bei der die Halbleiterschichten aus AlGaAs-Verbindungshalbleitem gebildet sind und der Wert von x in dem Al x Ga 1-x As der ersten Mantelschicht und der zweiten Mantelschicht zwischen 0,20 und 0,40 liegt.
The semiconductor laser according to claim 5, characterized in that said composition ratio of aluminum in said second cladding layer (26, 62) is set to range between 0.4 and 0.5.
Halbleiterlaser gemäß Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Mischungsverhältnis von Aluminium in der zweiten Bedeckungsschicht (26, 62) zwischen 0,4 und 0,5 liegt.
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