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said second diffusion
Vertaling van "said second diffusion" in Duits
der zweiten Diffusion
der zweite Diffusionswiderstand
das zweite Diffusionsregulierungsmittel
The method of claim 18, wherein biasing said second diffusion provides a charge on a bit line coupled to said second diffusion that produces said flow of electrons between said first and second diffusions when said word gate voltage is increased.
Verfahren nach Anspruch 18, bei dem das Vorspannen der zweiten Diffusion eine Ladung auf einer Bit-Leitung bereitstellt, die mit der zweiten Diffusion verbunden ist, die den Elektronenfluss zwischen der ersten und der zweiten Diffusion erzeugt, wenn die Spannung auf dem Wort-Gate erhöht wird.
The method according to any preceding claim, wherein said second diffusion region is substantially wider than said first diffusion region.
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der zweite Diffusionsbereich im Wesentlichen breiter als die erste Diffusionsbereich ist.
The sensor of claim 1 wherein said first diffusion resistor and said second diffusion resistor have a substantially identical layout shape.
Sensor nach Anspruch 1, wobei der erste Diffusionswiderstand und der zweite Diffusionswiderstand eine im wesentlichen identische Layoutform aufweisen.
The method of claim 23, wherein said first diffusion is a source and said second diffusion is a drain of said memory cell.
Verfahren nach Anspruch 23, bei dem die erste Diffusion eine Source und die zweite Diffusion ein Drain der Speicherzelle ist.
Semiconductor device circuit according to claim 6, wherein the semiconductor controlled rectifier device comprises a resistor and a part of said second diffusion region is operable as the resistor.
Halbleiterschaltung nach Anspruch 6, wobei die halbleitergesteuerte Gleichrichtervorrichtung einen Widerstand umfasst und ein Teil des zweiten Diffusionsbereichs als Widerstand einsetzbar ist.
The method of claim 1, further comprising the steps of: forming a second diffusion barrier layer over said first interconnect layer prior to said step of forming said interlevel oxide; and forming a second reaction metal layer over said second diffusion barrier layer.
Verfahren nach Anspruch 1 mit den weiteren Schritten: Bilden einer zweiten Diffusionssperrschicht über der ersten Verbindungsschicht vor dem Schritt des Bildens des Zwischenebenenoxids und Bilden einer zweiten Reaktionsmetallschicht über der zweiten Diffusionssperrschicht.
The method of claim 13, wherein the thickness of said second diffusion barrier layer (17b) is formed thicker than that of said first diffusion barrier layer (17a).
Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Diffusionssperrschicht (17b) so ausgebildet wird, dass ihre Dicke größer als die der ersten Diffusionssperrschicht (17a) ist.
The semiconductor apparatus as claimed in any preceding claim, wherein said first diffusion region (17), said second diffusion region (15), and said third diffusion region (19) are single-layered diffusion regions having a second conductivity type.
Halbleitervorrichtung nach einem vorhergehenden Anspruch, wobei der erste Diffusionsbereich (17), der zweite Diffusionsbereich (15) und der dritte Diffusionsbereich (19) einlagige Diffusionsbereiche eines zweiten Leitfähigkeitstyps sind.
Semiconductor device circuit according to claim 1, wherein the first protection circuit (88.126) further comprises a control gate electrode formed on said first diffusion region (90,158) between said second diffusion region (92,160) and said third diffusion region (94,162).
Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, wobei die erste Schutzschaltung (88.126) ferner eine Steuergateelektrode umfasst, die in dem ersten Diffusionsbereich (90,158) zwischen dem zweiten Diffusionsbereich (92,160) und dem dritten Diffusionsbereich (94,162) ausgebildet ist.
The arrangement according to claim 1 or 2, wherein said second diffusion region (45) is an anode of a protection diode (9) and said second buried layer (12) is a cathode of said protection diode (9).
Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, bei der das zweite Diffusionsgebiet (45) eine Anode einer Schutzdiode (9) und die zweite vergrabene Schicht (12) eine Kathode der Schutzdiode (9) ist.
An apparatus according to any one of claims 5-12, wherein said second processing zone (8, 44) includes said second diffusion control means (54).
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 12, worin die zweite Bearbeitungszone (8, 44) das zweite Diffusionsregulierungsmittel (54) enthält.
An apparatus according to claim 13, wherein said second diffusion control means (54) consists of a porous layer formed on said one (28) of said second pair of electrodes (28, 30) of said second electrochemical oxygen pumping cell.
Vorrichtung nach Anspruch 13, worin das zweite Diffusionsregulierungsmittel (54) aus einer porösen Schicht besteht, die auf der einen (28) aus dem zweiten Paar Elektroden (28,30) der zweiten elektrochemischen Sauerstoffpumpzelle ausgebildet ist.
A dynamic random access memory as claimed in any of claims 1 to 12, characterized in that said first diffusion region is a drain region (D) and said second diffusion region is a source region (S).
Ein dynamischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die genannte erste Diffusionszone eine Drainzone (D) ist und die genannte zweite Diffusionszone eine Sourcezone (S) ist.
Synoniemen voor said second diffusion in het Engels
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