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said second semiconductor substrate
Vertaling van "said second semiconductor substrate" in Duits
des zweiten Halbleitersubstrats
das zweite Halbleitersubstrat
A method according to claim 11, characterized in that said step of applying said bias potential includes the step of decreasing said ON resistance according to an increase of said bias voltage of said second semiconductor substrate (51; 61).
Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Anlegens des Vorpotentials den Schritt der Verringerung des AN-Widerstands gemäß einer Vergrößerung der Vorspannung des zweiten Halbleitersubstrats (51; 61) umfasst.
A method according to Claim 1, further comprising the step of polishing that surface of said second semiconductor substrate opposite the major surface thereof so as to decrease its thickness.
Verfahren nach Anspruch 1, ferner umfassend den Schritt eines Polierens der Fläche des zweiten Halbleitersubstrats, welche dessen Hauptfläche gegenüberliegt, zwecks Verkleinerung der Dicke desselben.
A method according to Claim 3, characterized in that said second semiconductor substrate is a p-type silicon substrate (13) with a uniform impurity concentration constituting the remaining portion of said p-type base layer.
Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Halbleitersubstrat ein p-Typ-Halbleitersubstrat (13) mit gleichmäßiger Fremdatomkonzentration ist, welches den restlichen Abschnitt der p-Typ-Basisschicht bildet.
A method according to claim 11 or 12, characterized in that a bias voltage of a negative polarity is applied to said second semiconductor substrate (51; 61) if said first semiconductor substrate (62; 62) is a P-type semiconductor substrate.
Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass eine Vorspannung von negativer Polarität an das zweite Halbleitersubstrat (51; 61) angelegt wird, wenn das erste Halbleitersubstrat (52; 62) ein P-Typ Halbleitersubstrat ist.
The apparatus according to claim 7, characterized by further comprising third holding means (70) attached to said second housing means (22B), for holding a third semiconductor substrate (50C) above said second semiconductor substrate (50B).
Vorrichtung nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch dritte Halteeinrichtungen (70), die an den zweiten Gehäuseeinrichtungen (22B) angebracht sind, um ein drittes Halbleitersubstrat (50C) oberhalb des zweiten Halbleitersubstrats (50B) zu halten.
The process of claims 19 or 20, further including the step of eliminating substantially all of said second semiconductor substrate in the region of said assembly (16 ).
Verfahren nach Anspruch 19 oder 20, gekennzeichnet durch den Schritt des Eliminierens im wesentlichen des gesamten zweiten Halbleitersubstrats in dem Bereich der Anordnung (16 ).
Method according to Claim 37, characterized in that said bonding step is followed by the step of cleaving said optical emission heterostructure and said second semiconductor substrate, to produce a plurality of semiconductor lasers.
Verfahren nach Anspruch 37, dadurch gekennzeichnet, daß auf den Bondschritt der Schritt der Spaltung der optischen Emissionsheterostruktur und des zweiten Halbleitersubstrates folgt, um eine Vielzahl von Halbleiterlasern zu erzeugen.
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