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said solid-state component
Vertaling van "said solid-state component" in Duits
der Komponente im festen Zustand
The method in accordance with claim 8, wherein said first region and said second region are two-dimensionally arranged on the surface of said solid-state component.
Verfahren nach Anspruch 8, worin der erste Bereich und der zweite Bereich zweidimensional an der Oberfläche der Komponente im festen Zustand angeordnet sind.
The method in accordance with any of claims 3 to 5, wherein the concentration of said impurity continuously or stepwisely reduces or increases from a first prescribed surface region to a second prescribed surface region of said solid-state component.
Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 5, worin die Konzentration der Verunreinigung von einem ersten vorgeschriebenen Oberflächenbereich zu einem zweiten vorgeschriebenen Oberflächenbereich der Komponente im festen Zustand kontinuierlich oder schrittweise zunimmt oder abnimmt.
The method in accordance with claim 2, wherein said surface electric potential is controlled by the concentration of an impurity doped in said solid-state component.
Verfahren nach Anspruch 2, worin das elektrische Potential an der Oberfläche durch die Konzentration einer Verunreinigung gesteuert wird, mit der die Komponente im festen Zustand dotiert ist.
The method in accordance with any of claims 1 to 10, wherein said solid-state component has a groove, and a crystal of said organic compound is deposited in said groove.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, worin die Komponente im festen Zustand eine Rille aufweist und ein Kristall aus der organischen Verbindung in der Rille abgelagert wird.
The method in accordance with claim 1, wherein a space-charge layer is formed in said solid-state component, so that crystallization of said organic compound is controlled by a surface electric potential based on said space-charge layer.
Verfahren nach Anspruch 1, worin auf der Komponente im festen Zustand eine Raumladungsschicht gebildet wird, so dass die Kristallisation der organischen Verbindung durch das elektrische Potential an der Oberfläche auf Basis der Raumladungsschicht gesteuert wird.
The method in accordance with claim 11, wherein said solid-state component is a semiconductor substrate having a p-n junction, and said p-n junction is exposed in said groove.
Verfahren nach Anspruch 11, worin die Komponente im festen Zustand ein Halbleitersubstrat ist, das eine p-n-Übergangszone aufweist, und die p-n-Übergangszone in der Rille freiliegt.
The method in accordance with claim 3 or 4, wherein the concentration of said impurity contained in said solid-state component varies over the surface region and the interior of said solid-state component.
Verfahren nach Anspruch 3 oder Anspruch 4, worin die Konzentration der Verunreinigung, die in der Komponente im festen Zustand enthalten ist, über den Oberflächenbereich und das Innere der Komponente im festen Zustand variiert.
The method in accordance with any of claims 1 to 9, wherein said electrical state varies over the surface of said solid-state component so as to promote crystallization on a specific region of said solid-state component surface.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, worin der elektrische Zustand über die Oberfläche der Komponente im festen Zustand so variiert, dass die Kristallisation in einem spezifischen Bereich der Oberfläche der Komponente im festen Zustand gefördert wird.
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