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said upper cladding layer
Vertaling van "said upper cladding layer" in Duits
die obere Mantelschicht
der oberen Mantelschicht
The method according to claim 1, wherein said upper cladding layer composes of a first upper cladding sublayer disposed on said active layer in direct contact therewith, and a second upper cladding sublayer disposed over said first upper cladding sublayer.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die obere Mantelschicht sich aus einer ersten oberen Mantelunterschicht, die auf der aktiven Schicht in direktem Kontakt mit ihr angeordnet ist, und einer zweiten oberen Mantelunterschicht, die über der ersten oberen Mantelunterschicht angeordnet ist, zusammensetzt.
The method according to claim 1, wherein said upper cladding layer is comprised of at least one of GaInP and AlGaInP.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die obere Mantelschicht aus wenigstens einem von GaInP und AlGaInP besteht.
Method according to claim 37 comprising a step of curing and oxidizing said upper cladding layer.
Verfahren gemäß Anspruch 37, das einen Schritt des Aushärtens und Oxidierens der Hülloberschicht umfaßt.
Method according to claim 37 wherein said upper cladding layer is provided on the core layer after curing the latter.
Verfahren gemäß Anspruch 37, bei dem die Hülloberschicht auf der Kernschicht aufgebracht wird nach dem Aushärten der letzteren.
The method of claim 1 wherein said at least one region comprises a region in said upper cladding layer (15).
Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem der wenigstens eine Bereich einen Bereich in der oberen Deckschicht (15) umfaßt.
The method according to claim 1, further comprising, between said first and second steps, a step of laminating a second upper cladding layer of said second conductivity type on said upper cladding layer excluding said predetermined region.
Verfahren nach Anspruch 1, das weiterhin zwischen dem ersten und dem zweiten Schritt einen Schritt zum Laminieren einer zweiten oberen Mantelschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps auf der oberen Mantelschicht ausschließlich des vorbestimmten Bereichs aufweist.
A device according to claim 10, wherein said groove (32) in the said upper cladding layer (22, 28) is filled with an insulating material (38).
Vorrichtung nach Anspruch 10, wobei die Nut (32) in der oberen Hüllschicht (22, 28) mit einem isolierenden Material (38) gefüllt ist.
A laser diode utilising a compound semiconductor as defined in claim 5 or claim 6, which further comprises a light guide layer (11) provided between said diffusion stopper layer (4b) and said upper portion of said upper cladding layer (9b).
Laserdiode, die einen Verbindungshalbleiter nach Anspruch 5 oder 6 verwendet und ferner eine Lichtleiterschicht (11) aufweist, die zwischen der Diffusionssperrschicht (4b) und dem oberen Abschnitt der oberen Beschichtungslage (9b) vorgesehen ist.
An integrated optic planar waveguide switch (10) as recited in claim 1 wherein said trench is cut into both said core layer (12) and at least one of said lower cladding layer (11) and said upper cladding layer (15).
Ein integrierter optischer planarer Wellenleiterschalter (10) gemäß Anspruch 1, wobei der Kanal sowohl in die Kernschicht (12) als auch in mindestens eine der besagten unteren (11) und oberen (15) Ummantelungsschichten geschnitten ist.
The semiconductor laser according to any of claims 1-11, further comprising a capping layer (5) which does not contain Mg and is difficult to be oxidized on said upper cladding layer (3).
Halbleiterlaser nach mindestens einem der Ansprüche 1-1 1, umfassend weiterhin eine Abdeckungsschicht (5), welche kein Mg enthält, und der auf der oberen Überzugschicht (3) schwierig zu oxidieren ist.
An element according to claim 1, characterized in that another stripe-shaped upper cladding layer (17) is formed on said upper cladding layer (15) and constituted by the same material as that of said upper cladding layer (15).
Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf der oberen Plattierschicht (15) eine weitere streifenförmige obere Plattierschicht (17) aus demselben Werkstoff, aus dem auch die obere Plattierschicht (15) besteht, gebildet ist.
The semiconductor laser of Claim 3, characterized in that said upper cladding layer (5) is made of Al x Ga 1-x As, thickness of said upper cladding layer being ranged between 270 nm to 400 nm, where x is 0.6.
Halbleiterlaser nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die obere Auflageschicht (5) aus Al x Ga 1-x As besteht und die Dicke der oberen Auflageschicht im Bereich zwischen 270 nm und 400 nm liegt, wobei x den Wert 0,6 annimmt.
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