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second base layer
Vertaling van "second base layer" in Duits
zweite Basisschicht
zweiten Basisschicht
Zweitschicht
Lightweight second base layer for fast ascents: thin sweater made with extremely soft, stretchy fabric for optimum temperature regulation and best wearing comfort.
Leichte zweite Basisschicht für schnelle Besteigungen: dünnen Pullover mit extrem weich, dehnbaren Stoff zur optimalen Temperaturregulierung und besten Tragekomfort.
The device according to claim 1, characterised in that said second base layer (106, 80) has an n-type impurity dose of 5 x 10 11 to 4 x 10 12/cm 2.
Vorrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Basisschicht (106, 80) eine Fremdatomdosis vom n-Typ von 5×10 11/cm 2 bis 4×10 12/cm 2 aufweist.
The emitter is completely highly-doped and mounted directly on the second base layer (106).
Der Emitter ist vollständig hoch dotiert und direkt auf der zweiten Basisschicht (106) aufgebracht.
The method of claim 13, characterized in that a n type emitter stop layer (22) is formed over said second base layer (20) and under said emitter layer (24).
Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß eine n-leitende Emitterstoppschicht (22) über der zweiten Basisschicht (20) und unter der Emitterschicht (24) gebildet wird.
Lightweight second base layer for fast ascents.
Leichte Zweitschicht für sportliche Aufstiege!
Lightweight second base layer for fast ascents: the Women's Livigno Halfzip by VAUDE is a thin sweater made with extremely soft, stretchy fabric for optimum temperature regulation and best wearing comfort.
Leichte Zweitschicht für sportliche Aufstiege: das Women's Livigno Halfzip von VAUDE ist ein dünner Fleecepullover aus elastischem, sehr weichem Material für optimale Regulierung der Temperatur bei hohem Tragekomfort.
The second base layer 54 consists in this example of execution of a soft-set polyurethane.
Außenseitig ist die erste Basisschicht 52 durch eine zweite Basisschicht 54 versiegelt.
Together with the second base layer (16) and an additional, oppositely situated anode short circuit, the collector region (20) forms an inverse diode structure (11) which makes an external free-wheeling diode unnecessary when switching inductive loads.
Das Kollektorgebiet (20) bildet zusammen mit der zweiten Basisschicht (16) und einem zusätzlichen, gegen- überliegenden Anodenkurzschluss eine inverse Dioden- struktur (11), welche beim Schalten induktiver Lasten eine externe Freilaufdiode erspart.
A suction panel as claimed in any previous claim in which the support, first base layer or second base layer comprises one or more layers of carbon fibre composite (CFC).
Absaugpanel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welchem der Träger, die erste Basisschicht oder zweite Basisschicht aus einer oder mehreren Lagen aus einem Kohlenstoff-Faser-Verbundmaterial (CFC) bestehen.
The emitter cell (E) comprises a four-layer sequence composed of first emitter region (20), second base layer (7), first base layer (8) and emitter layer (9).
Die Emitterzelle (E) enthält eine Vierschichtfolge aus erstem Emittergebiet (20), zweiter Basisschicht (7), erster Basisschicht (8) und Emitterschicht (9).
In the latter case in particular, as a final measure, a second base layer (10) is applied to the first base layer (3) and to the mat (8) laid thereon.
Insbesondere im letzteren Fall wird zum Schluß eine zweite Bodenschicht (10) auf die erste Bodenschicht (3) und die aufgelegte Matte (8) aufgebracht.
A high withstand voltage MIS field effect transistor according to any one of claim 1 to 5, wherein said second base layer (4) and said source layer (8) are substantially concentrically formed with respect to the center of said drain layer (9).
Hochspannungs- MIS -Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die zweite Basis-Schicht (4) und die Source-Schicht (8) im wesentlichen konzentrisch in Bezug auf die Mitte der Drain-Schicht (9) gebildet sind.
A high withstand voltage MIS field effect transistor according to any one of one of claims 1 to 4, wherein the impurity concentration of said second base layer (4) is lower than the impurity concentration of said first base layer (3).
Hochspannungs- MIS -Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Störstellenkonzentration der zweiten Basis-Schicht (4) niedriger als die Störstellenkonzentration der ersten Basis-Schicht (3) ist.
Synoniemen voor second base layer in het Engels
Woord & uitdrukking van de dag
Afbeelding van de dag
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