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semiconductor laser array
Vertaling van "semiconductor laser array" in Duits
Halbleiter-Laseranordnung
Halbleiterlaseranordnung
Halbleiterlaser-Array
Vielfachhalbleiterlaser
Halbleiterlaser-Vielfachanordnung
Halbleiterlaserfeldstruktur
Halbleiterlaserreihenstruktur
Halbleiter-Laserreihenanordnung
Halbleiterlaser-Feld
A method for forming a semiconductor laser array as defined in claim 5, wherein said etching step is effected by polishing.
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Laseranordnung nach Anspruch 5, wobei der Ätzschritt mittels Polieren ausgeführt wird.
The apparatus of claim 1 or 2, wherein said laser (4) is a monolithic semiconductor laser array that emits three laser beams from a single lasing region.
Gerät nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Laser (4) eine monolithische Halbleiter-Laseranordnung ist, die drei Laserstrahlen aus einem einzigen Laseremissionsbereich aussendet.
The vehicular lighting system of any of claims 1-3 wherein said at least one light source is a semiconductor laser diode or semiconductor laser array.
Fahrzeug-Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 1-3, wobei die wenigstens eine Lichtquelle eine Halbleiterlaserdiode oder eine Halbleiterlaseranordnung ist.
A semiconductor laser array according to claim 14, characterized in that first and second diffraction gratings are provided in said first and second laser devices, respectively, said first and second diffraction gratings having different pitches from each other.
Regelmäßige Halbleiterlaseranordnung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß ein erstes und ein zweites Beugungsgitter in der ersten bzw. der zweiten Laservorrichtung bereitgestellt sind, wobei das erste und das zweite Beugungsgitter voneinander verschiedene Gitterkonstanten aufweisen.
In addition, the adjusting means is capable of rotating the semiconductor laser array around at least the vicinity of the midpoint of the straight line drawn by connecting centers of the first and n-th light emitting points.
Außerdem ist das Einstellmittel in der Lage, das Halbleiterlaser-Array um mindestens die (nahe) Umgebung des Mittelpunktes der geraden Linie zu drehen, welche durch Verbinden der Mittelpunkte des ersten und n-ten Licht emittierenden Punktes gezogen sind.
The present embodiment of the multibeam light source is detailed above in terms of four light emitting points 1a1 ∼ 1a4 in the semiconductor laser array.
Die vorliegende Ausführungsform der Mehrstrahllichtquelle ist oben hinsichtlich vier Licht emittierender Punkte 1a1-1a4 in dem Halbleiterlaser-Array detailliert.
A semiconductor laser array according to claim 14 as far as related to claim 1, characterized in that an entire portion of one of said separate confinement layers and a portion of the other separate confinement layer adjacent to the light-emitting layer are doped with impurities to p-type.
Regelmäßige Halbleiterlaseranordnung nach Anspruch 14, soweit dieser auf Anspruch 1 rückbezogen ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein gesamter Abschnitt einer der getrennten Begrenzungsschichten und ein zu der Licht abstrahlenden Schicht benachbarter Abschnitt der anderen getrennten Begrenzungsschicht mit Dotierstoffen p-dotiert sind.
The signal transfer apparatus of claim 1 or claim 2, wherein the semiconductor laser array (35) consists of as many semiconductor lasers as the number of bits of the video signal to be transferred.
Signalübertragungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei die Halbleiterlaseranordnung (35) aus so vielen Halbleiterlasern wie die Anzahl von Bits des übertragenen Videosignals besteht.
As an example, for the semiconductor laser array 1 having four light emitting points 1a1 ∼ 1a4 with n=4, the result <=18.4º is obtained.
Als ein Beispiel erhält man für das Halbleiterlaser-Array 1, welches vier Licht emittierende Punkte 1a1-1a4, mit n = 4 aufweist, das Ergebnis <= 18,4º.
An index-guided semiconductor laser array according to any of claims 4 to 6 wherein said active layer (23) is of varying thickness, the thickness being maximum at the center of the mesas (20) and being minimum between the mesas.
Indexgeleitete Halbleiterlaseranordnung nach einem der Ansprüche 4 bis 6, bei welcher die aktive Schicht (23) von unterschiedlicher Dicke ist, wobei die Dicke maximal an der Mitte der Mesas (20) und minimal zwischen den Mesas ist.
A semiconductor laser array as defined in claim 1 or 2, wherein said common electrode layer (16) and opposing electrode (20) function as a p-side electrode and an n-side electrode, respectively.
Halbleiter-Laseranordnung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die gemeinsame Elektrodenschicht (16) und die gegenüberliegende Elektrode (20) jeweils als p-seitige Elektrode bzw. als n-seitige Elektrode dienen.
A semiconductor laser array as defined in claim 3, wherein said array of laser active sections (18) is surrounded by a transparent resin (24) as a whole.
Halbleiter-Laseranordnung nach Anspruch 3, wobei die Anordnung der Laser-Aktiv-Abschnitte (18) insgesamt von einem transparenten Kunstharz (24) umgeben ist.
The image forming apparatus as set forth in claim 6, wherein each of said light emitting portions (21a) of said semiconductor laser array (21) comprises a plurality of optical resonators with different planes of polarization.
Bilderzeugungsvorrichtung nach Anspruch 6, bei der jeder lichtemittierende Abschnitt (21a) der Halbleiter-Laseranordnung (21) eine Vielzahl von optischen Resonatoren mit unterschiedlichen Polarisationsebenen umfaßt.
Synoniemen voor semiconductor laser array in het Engels
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