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semiconductor laser device

Vertaling van "semiconductor laser device" in Duits

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Halbleiterlaservorrichtung Halbleiterlasereinrichtung

Halbleiterlaser-Vorrichtung

Halbleiterlasers

Halbleiterlaserbauelement

Halbleiter-Laservorrichtung

Halbleiterlaserelement

Halbleiter-Lasereinrichtung

Halbleiterlaser

Halbleiterlasergerät

Nitrid-Halbleiterlaservorrichtung

This monolithically produced semiconductor laser device advantageously permits an extremely effective, homogeneous optical pumping of the radiation generating quantum well structure.

Mit dieser monolithisch hergestellten Halbleiterlaservorrichtung ist vorteilhafterweise ein sehr effektives und homogenes optisches Pumpen der strahlungserzeugenden Quantentopfstruktur möglich.

A spatial optical transmission system according to claim 1, wherein the semiconductor laser device includes a diffuser for diffusing the radiated laser beam.

Optisches räumliches Übertragungssystem nach Anspruch 1, wobei die Halbleiterlaservorrichtung eine Zerstreueinrichtung zum Zerstreuen des ausgestrahlten Laserstrahls enthält.

An optical head according to claim 1, wherein said light emitting element consists of a semiconductor laser device.

Ein optischer Kopf gemäß Anspruch 1, wobei das gesagte lichtemittierende Element aus einer Halbleiterlasereinrichtung besteht.

A method for the production of semiconductor devices according to claim 1 or 2, wherein said multi-layered structure (12) comprises an optical waveguide to form a semiconductor laser device.

Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Vielfachschicht-Struktur (12) einen optischen Wellenleiter aufweist, um eine Halbleiterlasereinrichtung zu bilden.

Method of fabricating a semiconductor laser device.

Herstellungsmethode für eine Halbleiterlaser-Vorrichtung.

The semiconductor laser device of claim 1, wherein a thickness of the p-type cladding layer is smaller than that of the n-type cladding layer.

Halbleiterlaser-Vorrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine Dicke der Mantelschicht des p-Typs geringer ist als diejenige der Mantelschicht des n-Typs.

A semiconductor laser device as claimed in claim 1, wherein said crystal layers are grown by molecular beam epitaxy or metal-organic chemical vapor deposition.

Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Kristallschichten durch Molekülstrahlepitaxy oder durch Metallorganische chemische Abscheidung aus der Gasphase gezüchtet werden.

An array device according to claim 15, characterized in that each of said functional circuits includes a circuit for transmitting/receiving a laser beam emitted from a semiconductor laser device.

Array-Vorrichtung gemäß Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß jede der Funktionsschaltungen eine Schaltung zum Senden/Empfangen eines von einer Halbleiterlaservorrichtung emittierten Laserstrahls aufweist.

The device according to claim 3 or 4, wherein a light absorption portion is present in each dummy stripe and each of the facets of the semiconductor laser device.

Vorrichtung gemäß Anspruch 3 oder 4, wobei ein Lichtabsorptionsbereich in jedem Dummy-Streifen und in jeder Facette der Halbleiterlaservorrichtung vorhanden ist.

An apparatus according to claim 1, wherein said means for modifying the wavelength of the laser light is a temperature regulator which regulates the temperature of said semiconductor laser device.

Eine Vorrichtung entsprechend Anspruch 1, bei welcher daß Mittel für das Modifizieren der Wellenlänge des Laserlichts ein Temperaturregler ist, welcher die Temperatur der Halbleiterlasereinrichtung reguliert.

The semiconductor device of claim 1 or 2, wherein the superlattice structure defines an active layer and/or an optical guide layer and/or a cladding layer of a semiconductor laser device.

Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Übergitterstruktur die aktive Schicht und/oder eine optische Leiter-Schicht und/oder eine Deckschicht einer Halbleiterlaservorrichtung definiert.

The process according to claim 55 wherein the semiconductor article is one of a semiconductor integrated circuit, a solar cell, a semiconductor laser device, and a light emitting diode.

Verfahren nach dem Anspruch 55, worin der Halbleiterartikel einer einer integrierten Halbleiterschaltung, einer Solarzelle, einer Halbleiterlaservorrichtung und einer Licht emittierenden Diode ist.

A device produced by a method as defined in any of claim 1 to 12. A device as claimed in claim 13 and comprising a semiconductor laser device.

Vorrichtung, hergestellt mit einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12. Vorrichtung nach Anspruch 13, umfassend eine Halbleiterlaservorrichtung.