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solid-state image sensing device according
Vertaling van "solid-state image sensing device according" in Duits
Festkörper-Bildabtastvorrichtung nach
Festkörperbildaufnahmevorrichtung nach
A method for manufacturing a solid-state image sensing device according to claim 7 further comprising the step of forming a microlens (27) on said intra-layer color filter (24).
Verfahren zur Herstellung einer Festkörper-Bildabtastvorrichtung nach Anspruch 7, ferner aufweisend den Schritt des Bildens einer Mikrolinse auf dem Intraschicht-Farbfilter (24).
A method for manufacturing a solid-state image sensing device according to Claim 7, wherein said recess (21a) on said interlayer film (21) is formed by a thermosoftening treatment to said interlayer film (21).
Verfahren zur Herstellung einer Festkörper-Bildabtastvorrichtung nach Anspruch 7, wobei die Vertiefung (21a) auf dem Zwischenschichtfilm (21) durch eine Thermoerweichungsbehandlung des Zwischenschichtfilms (21) gebildet wird.
The solid-state image sensing device according to claim 1, wherein a fifth semiconductor region (38) of the first conductivity type is formed between the first semiconductor region (36) and a top insulating film (37).
Festkörperbildaufnahmevorrichtung nach Patentanspruch 1, wobei ein fünftes Halbleitergebiet (38) des ersten Leitfähigkeitstyps zwischen dem ersten Halbleitergebiet (36) und einem oberen Isolationsfilm (37) ausgebildet ist.
The solid-state image sensing device according to any of the preceding claims, wherein the fourth semiconductor region of a first conductivity type (351, 94) laterally extends beyond the pixel isolation structure (34,93) towards the second semiconductor region (33).
Festkörperbildaufnahmevorrichtung nach einem der vorangehenden Patentansprüche, wobei das vierte Halbleitergebiet vom ersten Leitfähigkeitstyp (351,94) sich lateral über die Pixelisolationsstruktur (34,93) in Richtung des zweiten Halbleitergebiets (33) erstreckt.
A solid-state image sensing device according to Claim 3, characterized in that said average refractive index of said intra- layer color filter (24) in a visible light penetrating range is 1.55 or more.
Festkörper-Bildabtastvorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der mittlere Brechungsindex des Intraschicht-Farbfilters (24) in einem sichtbaren Lichtdurchdringungsbereich gleich 1,55 oder mehr ist.
The solid-state image sensing device according to any of the preceding claims, wherein the isolation structure is a trench isolation structure or a LOCOS structure.
Festkörperbildaufnahmevorrichtung nach einem der vorangehenden Patentansprüche, wobei die Isolationsstruktur eine Grabenisolationsstruktur oder eine LOCOS Struktur ist.
A solid-state image sensing device according to any of claims 6 to 8, wherein said processing means includes a capacitor (C T), and is arranged to operate an input signal by changing voltages at both terminals of the capacitor.
Halbleiter-Bilderfassungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 8, wobei die Verarbeitungseinrichtung einen Kondensator (C T) umfasst, der vorgesehen ist zum Betätigen eines Eingangssignals durch Ändern von Spannungen an beiden Anschlüssen des Kondensators.
A solid-state image sensing device according to claim 1 being a CMOS sensor.
Festkörper-Bildabtastvorrichtung nach Anspruch 1, die ein CMOS-Sensor ist.
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